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그라파이트 기질상 -내산화성 세라믹 코팅의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015205136
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고상-기상 반응(solid-vapor reaction) 공정을 사용하여 베어(bare) 그라파이트 기질 상에 SiC 코팅층 또는 SiC/Si3N4 코팅층을 형성하는 제조방법들을 제공한다. 그라파이트 기질 상 SiC 층의 합성은 SiO 기체 및 그라파이트의 C 원자 사이의 반응에 의하여, 그리고 SiC/Si3N4 층의 합성은 SiO 기체, N2 및 그라파이트의 C 원자 사이의 반응에 의하여 각각 이루어진다. 상기 SiC 코팅층의 두께는 기질의 공극률, 반응온도의 증가, 또는 반응시간의 증가에 따라 영향 받는다. 또한, 반응온도를 조정함에 따라 상기 SiC 코팅의 경도를 베어 그라파이트 기질에 비해 10-15 배로 증가시킬 수 있다. 상기 SiC/Si3N4 코팅의 경우, 상기 SiC 코팅에 비하여 훨씬 얇은 두께로 형성되지만, 표면 경도는 더 높다. 고온에서 실시된 열산화실험 결과 상기 SiC 코팅층 또는 Si3N4 코팅층이 형성된 기질은 베어(bare) 기질에 비하여 내산화성이 증가되었으며, 특히 SiC/Si3N4 코팅의 열산화 방지효과가 탁월하였다.
Int. CL C04B 35/14 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) C04B 41/87 (2006.01) C04B 41/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020107012464 (2010.06.07)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1224816-0000 (2013.01.15)
공개번호/일자 10-2010-0091210 (2010.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2008/001158 (2008.02.28)
국제공개번호/일자 WO2009107884 (2009.09.03)
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연길 대한민국 경상남도 창원시
2 명상원 대한민국 경상남도 창원시 마산합포구
3 강지훈 대한민국 경상남도 하동군
4 김정표 대한민국 부산 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 비와씨빌딩*층 (역삼동)(김태원국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act
2010.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0362398-73
2 수리안내서
Notice of Acceptance
2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0057975-24
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189331-82
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0426755-28
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-5017213-51
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0631290-00
11 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.11.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-5027621-40
12 등록결정서
Decision to grant
2013.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0020076-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
19 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-5011772-60
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베어(bare) 그라파이트 기질이 장착된 고온반응챔버에 실리콘(Si) 분말 및 이산화실리콘 (SiO2) 분말을 넣고,상기 고온반응챔버에 불활성가스, 수소가스를 공급하며 1400℃ 내지 1600℃의 온도로 3 시간 내지 9 시간 동안 가열하여 상기 그라파이트 기질의 표면에 50 μm 내지 1000 μm의 SiC 층을 형성시키는 것을 포함하는 그라파이트 기질의 개질방법
2 2
베어 그라파이트 기질이 장착된 고온반응챔버에 실리콘(Si) 분말 및 이산화실리콘 (SiO2) 분말을 넣고,상기 고온반응챔버에 N2 가스를 공급하며 1450℃ 내지 1650℃의 온도로 3 시간 내지 9 시간 동안 가열하여 상기 그라파이트 기질의 표면에 30 μm 내지 600 μm의 SiC/Si3N4 층을 형성시키는 것을 포함하는 그라파이트 기질의 개질방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 베어 그라파이트 기질의 공극률은 5% 내지 20%인 것을 특징으로 하는 그라파이트 기질의 개질방법
4 4
제 2 항의 방법을 사용하여 개질된 그라파이트 기질
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100310860 US 미국 FAMILY
2 WO2009107884 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010310860 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2009107884 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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