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전산모사를 이용한 원자층 증착용 전구체의 평가 방법

  • 기술번호 : KST2015205233
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전산모사를 이용한 원자층 증착용 전구체의 평가 방법에 관한 것으로 실리콘 원자와 실리콘 전구체 화합물을 구성하는 원자 간의 본드에너지를 계산하는 단계, 실리콘 기판의 표면에서 상기 실리콘 전구체 화합물을 구성하는 원자의 흡착에너지를 계산하는 단계, 흡착된 상기 실리콘 전구체 화합물이 실리콘 기판의 표면과 반응할 때 요구되는 활성화 에너지를 계산하는 단계, 상기 계산된 흡착에너지와 활성화 에너지 값을 비교하는 단계를 포함한다.
Int. CL B01J 19/00 (2006.01) G06F 19/00 (2011.01) C23C 14/00 (2006.01)
CPC G06F 17/5009(2013.01) G06F 17/5009(2013.01) G06F 17/5009(2013.01)
출원번호/일자 1020110032115 (2011.04.07)
출원인 한국기술교육대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0114541 (2012.10.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백승빈 대한민국 충청남도 천안시 동남구
2 염호영 대한민국 경기도 용인시 처인구
3 김영철 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나동규 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0253328-09
2 선행기술조사의뢰서(내부)
Request for Prior Art Search (Inside)
2012.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2012-0003019-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0356463-73
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0646668-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0764615-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0764579-27
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0144926-84
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.10.02 수리 (Accepted) 4-1-2013-0045975-67
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5030298-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5234295-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 표면에서 실리콘 전구체 화합물을 구성하는 원자의 흡착에너지를 계산하는 단계;흡착된 상기 실리콘 전구체 화합물이 상기 실리콘 기판의 표면과 반응할 때 요구되는 활성화 에너지를 계산하는 단계;상기 흡착에너지를 계산하는 단계와 상기 활성화 에너지를 계산하는 단계에서 계산된 두 값을 비교하는 단계;를 포함하는, 전산모사를 이용한 원자층 증착용 실리콘 전구체의 평가 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 흡착에너지를 계산하는 단계 이전에, 상기 실리콘 원자와 상기 실리콘 전구체 화합물을 구성하는 원자 간의 본드에너지를 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 전산모사를 이용한 원자층 증착용 실리콘 전구체의 평가 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 본드에너지를 계산하는 단계에서 상기 실리콘 전구체 화합물 중에서 상기 본드에너지가 적은 실리콘 전구체 화합물을 선택하는 것을 특징으로 하는, 전산모사를 이용한 원자층 증착용 실리콘 전구체의 평가 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 흡착에너지를 계산하는 단계에서 실리콘 원자와 -OH기와의 흡착에너지인 것을 특징으로 하는, 전산모사를 이용한 원자층 증착용 실리콘 전구체의 평가 방법
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제 1항에 있어서,상기 흡착에너지를 계산하는 단계와 상기 활성화 에너지를 계산하는 단계에서 계산된 두 값을 비교하는 단계는 두 값의 절대값 차이를 비교하는 것을 특징으로 하는, 전산모사를 이용한 원자층 증착용 실리콘 전구체의 평가 방법
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제 5항에 있어서,상기 활성화 에너지 절대값이 흡착에너지의 절대값보다 작은 전구체를 선택하는 것을 특징으로 하는, 전산모사를 이용한 원자층 증착용 실리콘 전구체의 평가 방법
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패밀리정보가 없습니다
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