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플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,제1 도전형의 실리콘 기판(210)을 준비 및 표면손상제거(SDR) 단계(ST210);상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210) 표면을 텍스쳐링하는 단계(ST220);상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)과 반대 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)보다 더 높은 도핑 농도의 도전형을 갖는 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하는 단계(ST230);상기 제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 제2 도전형의 이미터 층(220), 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240);상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250);상기 후면 SiO2 막(245)과 후면 SiNx 막을 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나도록 레이저로 구멍(hole)을 내는 단계(ST260);상기 전면 SiNx 막(250)과 후면 SiNx 막(255)에 전극을 형성하는 단계(ST270);형성된 전면전극(260)과 후면전극(270)을 소성하는 단계(ST280)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법
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플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,제1 도전형의 실리콘 기판(210)과 반대 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)보다 더 높은 도핑 농도의 도전형을 갖는 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 형성하는 단계(ST230);상기 제2 도전형의 이미터 층(220)과 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 상기 제2 도전형의 이미터 층(220), 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240);상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법
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플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,제2 도전형의 이미터 층(220)과 제3 도전형의 후면전계 층(230)을 열처리(annealing)와 동시에 상기 제2 도전형의 이미터 층(220), 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)에 SiO2 막(240, 245)을 성장시키는 단계(ST240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법
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플라스마 도핑을 이용한 결정질 실리콘 태양전지 제조방법에서,상기 전면 SiO2 막(240)과 후면 SiO2 막(245)에 SiNx 막(250, 255)을 증착하는 단계(ST250)를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 도전형의 이미터 층(220)은 P, As 및 Sb 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 n형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 도전형의 이미터 층(220)은 B, Ga 및 In 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 p형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)은 B, Ga 및 In 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 도핑 농도보다 높은 p+형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)은 P, As 및 Sb 중 어느 하나를 선택한 후 플라스마 도핑(doping)하여 상기 제1 도전형의 실리콘 기판(210)의 도핑 농도보다 높은 n+형을 형성하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 SiO2 막은 전통적인 열로(thermal furnace) 또는 RTP(rapid thermal annealing)을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 SiO2 막의 성장은 H2O와 O2 중 어느 하나를 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 SiO2 막의 성장은 H2O와 O2를 혼합한 것을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 SiNx 막은 저압 화학기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD) 또는 플라스마 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 사용하여 증착시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 태양전지의 전면에 상기 SiO2 막(240)과 상기 SiNx 막(250)을 증착하여 SiO2/SiNx 구조의 막을 갖는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 태양전지의 후면에 상기 SiO2 막(245)과 상기 SiNx 막(255)을 증착하여 SiO2/SiNx 구조의 막을 갖는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 후면 SiO2 막(245)과 상기 후면 SiNx 막을 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나게 구멍(hole)을 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 후면 SiO2 막(245)과 상기 후면 SiNx 막을 상기 제3 도전형의 후면전계 층(230)이 나타나게 구멍(hole)을 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 레이저의 파장은 1064nm, 532nm 또는 266nm 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 레이저의 파장은 1064nm, 532nm 또는 266nm 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 레이저의 파장은 1064nm, 532nm 또는 266nm 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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