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결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015205401
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정질 실리콘 태양전지의 이미터 층을 형성할 때 SiO2 막을 장벽층(barrier layer)으로 이용하여 소수 캐리어의 수명을 연장시키고 누설전류를 억제하여 태양전지의 광전변환 효율이 향상되도록 한 기술에 관한 것이다.이러한 본 발명은, 제1 도전형의 실리콘 기판을 텍스쳐링하는 단계; 상기 제1 도전형의 실리콘 기판의 전면 또는 전후면에 SiO2 막을 성장하는 단계; 및 상기 제1 도전형의 실리콘 기판과 반대되는 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층을 열확산 방법으로 형성할 때, 상기 SiO2 막이 장벽층 역할을 하여 상기 이미터 층의 불순물 도핑농도가 제어되고 균일한 접합 깊이로 성장되는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120104383 (2012.09.20)
출원인 한국기술교육대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1430054-0000 (2014.08.07)
공개번호/일자 10-2014-0039092 (2014.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서화일 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 충청남도 천안시 동남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0762249-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0056488-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.02 수리 (Accepted) 4-1-2013-0045975-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0014890-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0199989-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0199990-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5030298-98
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0507165-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5234295-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법에 있어서, (a) 제1 도전형의 실리콘 기판을 텍스쳐링하는 단계; (b) 상기 제1 도전형의 실리콘 기판의 전면 또는 전후면에 SiO2 막을 열로(thermal furnace) 또는 RTP(rapid thermal process)를 사용하여 성장하는 단계; (c) 상기 제1 도전형의 실리콘 기판과 반대되는 타입의 도전형을 갖는 제2 도전형의 이미터 층을 열확산 방법으로 형성할 때, 상기 SiO2 막이 장벽층 역할을 하여 상기 이미터 층의 분순물 도핑 농도가 제어되고 균일한 접합 깊이로 성장되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형의 실리콘 기판에 성장된 SiO2 막 및 상기 이미터 형성 단계에서 형성된 부산물인 PSG나 BSG를 동시에 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 SiO2 막은 CVD(chemical vapor deposition)를 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 SiO2 막은 H2O 및 O2 중에서 어느 하나 이상을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 SiO2 막이 요철 구조의 꼭대기(top) 부분에는 두껍게 형성되고, 골짜기(valley) 부분에는 얇게 형성되어 상기 이미터 층 형성 시 장벽층 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 제2 도전형의 이미터 층의 불순물 표면 도핑 농도(concentration)를 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.