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실리콘 웨이퍼의 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2015205444
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼 표면 세정 방법에 있어서, RCA 세정을 실시하는 단계, 상기 RCA 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 불산(HF)으로 세정하는 단계, 상기 세정된 실리콘 웨이퍼를 ADL 챔버 내로 이동하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼가 매입된 ALD 챔버 내에 오존가스를 주입하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 처리하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼 표면 세정 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/02052(2013.01)
출원번호/일자 1020100049043 (2010.05.26)
출원인 한국기술교육대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0129583 (2011.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 백승빈 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나동규 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0336499-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5038188-46
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0381987-26
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0712222-57
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0712188-92
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0695164-09
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0068839-67
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0155249-58
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0247347-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0247351-98
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0501374-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.10.02 수리 (Accepted) 4-1-2013-0045975-67
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5030298-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5234295-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼 표면 세정 방법에 있어서,RCA 세정을 실시하는 단계;상기 RCA 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 불산(HF)으로 세정하는 단계;상기 세정된 실리콘 웨이퍼를 ADL 챔버 내로 이동하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼가 매입된 ALD 챔버 내에, 오존가스를 주입하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 처리하는 단계;를 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 표면처리 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼를 상기 불산(HF)으로 세정하는 단계는 상기 ALD 챔버와 연통되는 소정의 공간에서 이루어지는 것을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 표면처리 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 불산(HF)에 세정된 실리콘 웨이퍼를 상기 ALD 챔버 내로 이송하는 유닛에 의한 것을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 표면처리 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 웨이퍼를 이송할 때 건조가 이루어지는 것을 포함하는, 실리콘웨이퍼의 표면처리 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 건조는 공기분사(에어샤워)로 이루어지는 것을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 표면처리 방법
6 6
제 4항에 있어서,상기 건조는 적외선 램프로 이루어지는 것을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 표면처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.