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레벨 시프터

  • 기술번호 : KST2015205515
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 통상의 반도체 집적회로의 사용 전압은 5 볼트 이하의 낮은 전압이지만 디스플레이에 사용이 되는 전압이나 특정 회로에서는 그 이상의 높은 전압을 사용하게 된다. 따라서 이러한 통상의 반도체 집적회로의 출력 전압을 바로 이러한 디스플레이나 특정 회로에 인가하면 동작이 되지 않으므로 통상의 반도체 집적회로의 출력 전압을 이 디스플레이나 특정 회로에 맞도록 변경을 해야 하고 레벨 시프터라는 회로가 이러한 기능을 하게 된다. 본 발명은 아모포스 실리콘 박막 트랜지스터로 구성이 되는 레벨 시프터 회로에 대한 것으로 입력 펄스가 이 회로에 입력이 되면 출력 전압이 이 회로에서 나가게 되고 이 출력 전압의 전압이 입력 펄스의 전압에 비하여 보다 높게 되도록 하는 회로에 대한 것이다. 아모포스 실리콘, 박막 트랜지스터, 레벨 시프터
Int. CL H03K 19/0185 (2006.01.01) H03K 19/003 (2006.01.01)
CPC H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01)
출원번호/일자 1020080032907 (2008.04.10)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0107575 (2009.10.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병성 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 정남현 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0254566-33
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0567346-58
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0567609-61
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0594905-04
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0903792-91
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0035080-18
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0093406-65
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0196193-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5143226-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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입력이 트랜지스터 T4의 게이트로 들어오며 T4 트랜지스터의 소스 전극은 VSS1에 연결이 된다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부,산자부,기업체 호서대학교 산학협력단 산학협력중심대학사업 아모포스 실리콘 집적회로 연구