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광검출을 위한 단위 픽셀의 평면상에 소정의 분할 비율에 따른 일정 영역을 점유하도록 형성되며, 입사광의 가시광선을 검출하는 가시광선 감지부; 상기 단위 픽셀의 동일 평면상에 소정의 분할 비율에 따른 일정 영역을 점유하도록 형성되며, 입사광의 원적외선을 검출하는 원적외선 감지부; 및 상기 가시광선 감지부 및 원적외선 감지부의 각각의 기저층을 이루며, 상기 가시광선 감지부 및 원적외선 감지부에 의해 각각 획득되는 감지신호를 바탕으로 영상을 구현하는 집적회로부(IC) 층을 포함하며,상기 원적외선 감지부는, 상기 단위 픽셀의 표면층에 위치되며, 그 상면과 하면에는 적외선 흡수막이 각각 형성되는 바나듐 산화막층(vanadium oxide layer)(제1층); 상기 바나듐 산화막층의 바로 밑에 바나듐 산화막층으로부터 소정 간격 이격되어 설치되며, 상기 바나듐 산화막층을 하부에서 지지하는 지지다리; 및 상기 원적외선 감지부의 영역에 대응되는 면적으로 상기 지지다리의 상면부에 형성되며, 상기 바나듐 산화막층을 투과한 적외선을 반사시키는 반사막층(제2층);을 구비하고,상기 바나듐 산화막층(vanadium oxide layer)(제1층)과 상기 반사막층(제2층) 간의 이격 간격은 2
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제1항에 있어서,상기 가시광선 감지부는, 상기 단위 픽셀의 표면층(제1층)에 위치되어 입사되는 가시광선의 광신호를 전기 신호로 변환하는 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드의 바로 밑에 형성되며, 포토 다이오드의 광전 변환에 따른 전류를 검출하는 4T APS(active pixel sensor) 층(제2층)을 포함하는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제3항에 있어서,상기 가시광선 감지부의 상기 4T APS 층은 CMOS APS 층으로 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제3항에 있어서,상기 가시광선 감지부의 표면층(제1층)과 그 표면층 하부의 4T APS(active pixel sensor) 층(제2층) 사이, 그리고 4T APS(active pixel sensor) 층(제2층)과 그 하부의 상기 집적회로부(IC) 층(제3층) 사이에는 각각 절연층이 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제3항에 있어서,상기 가시광선 감지부의 표면층(제1층)과 상기 4T APS(active pixel sensor)층(제2층) 사이의 절연층과, 상기 4T APS(active pixel sensor) 층(제2층)과 상기 집적회로부(IC) 층(제3층) 사이의 절연층에는 각각 비어(via)가 형성되며, 그 비어를 통해 상기 제1층, 제2층 및 제3층이 상호 전기적으로 접속되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제1항에 있어서,상기 원적외선 감지부는 8～12㎛ 파장대의 원적외선을 검출하는 비냉각 마이크로볼로미터(microbolometer)로 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제1항에 있어서,상기 반사막층(제2층)과 그 하부의 상기 집적회로부(IC) 층(제3층)은 1～1
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제1항에 있어서,상기 바나듐 산화막층의 상면과 하면에 각각 형성되는 적외선 흡수막은 실리콘 질화막(SiN4)으로 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제1항에 있어서,상기 지지다리는 연속으로 중첩된 ''ㄹ''자형의 구조로 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제1항에 있어서, 상기 지지다리는 질화실리콘(SiN)으로 형성되고, 그 내부에는 상기 집적회로부(IC) 층과의 전기적인 접속을 위한 전도선이 내장되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제1항에 있어서, 상기 반사막층은 0
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제1항에 있어서,상기 집적회로부(IC) 층은 ROIC(readout integrated circuit) 층으로 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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제15항에 있어서,상기 ROIC 층 위에는 SiO2 절연막이 형성되는 가시광선 및 원적외선 통합 검출용 광검출기
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