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광투과 반도체 박막층을 가지는 유기 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015205579
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광투과 반도체 박막층(inter layer)을 가지는 유기 발광 다이오드에 대한 것으로, 특히 광간섭 반사방지 박막을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 광간섭 반사방지 박막은 셀렌화아연(ZnSe)으로 이루어진 광투과 반도체 박막층을 가지는 것을 특징으로 하여, 광간섭현상을 이용해서 외부광을 차단하는 동시에 저전압으로 구동 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명은 상기 광투과 반도체 박막층의 양쪽 금속 박막층을 똑같이 알루미늄(Al)으로 구성함으로써, 비교적 낮은 일함수를 가져서 전자의 주입을 용이하게 하면서 동시에 산화가 잘 되지 않도록 하는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5281(2013.01)H01L 51/5281(2013.01)H01L 51/5281(2013.01)H01L 51/5281(2013.01)
출원번호/일자 1020100043294 (2010.05.10)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0123852 (2011.11.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.10)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우영 대한민국 경기도 김포시
2 김유현 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0297180-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5143226-24
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0631628-04
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1028207-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1028210-22
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0259615-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광간섭 반사방지 박막을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 광간섭 반사방지 박막은 셀렌화아연(ZnSe)으로 이루어진 광투과 반도체 박막층을 가지는 것을 특징으로 하는 광투과 반도체 박막층을 가지는 유기 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 광간섭 반사방지 박막은, 알루미늄(Al)으로 이루어진 반투과 금속 박막층(thin metal layer)과, 셀렌화아연(ZnSe)으로 이루어진 광투과 반도체 박막층(inter layer)과, 알루미늄(Al)으로 이루어진 금속 박막층(thick metal layer)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광투과 반도체 박막층을 가지는 유기 발광 다이오드
3 3
제2항에 있어서, 상기 반투과 금속 박막층은 70Å의 두께를 가지고, 상기 광투과 반도체 박막층은 300Å의 두께를 가지며, 상기 금속 박막층은 1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 광투과 반도체 박막층을 가지는 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.