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다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법

  • 기술번호 : KST2015205609
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법은, 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각공정에 있어서, 세정제 전처리제(cleaning agent)를 이용한 세정단계; 및 불산, 질산 및 인산으로 구성된 에칭액(etching solution)에 식각처리 하는 단계;를 포함하며, 상기 세정단계는, 질산, 과산화수소 및 물의 체적비가 1:2.8:114 의 비율인 세정제를 이용하여, 상온에서 10분간 초음파 세정처리하며, 상기 식각처리 단계에 사용하는 에칭액은 농도 35%의 불산, 농도 45%의 질산, 농도 10~30%의 인산이 1:2:2의 비율로 구성된 혼합액으로서, 상온에서 30초~10 분간 처리하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020110004652 (2011.01.17)
출원인 호서대학교 산학협력단, 회명산업 주식회사
등록번호/일자 10-1129110-0000 (2012.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
2 회명산업 주식회사 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임대우 대한민국 서울특별시 강남구
2 이창준 대한민국 인천광역시 남구
3 김세훈 대한민국 충청남도 천안시 서북구
4 박원용 대한민국 울산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 충청남도 아산시
2 회명산업 주식회사 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0038227-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5143226-24
3 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0140207-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.05 수리 (Accepted) 4-1-2013-0058367-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5040841-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5040842-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5040838-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5115358-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135432-02
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번호 청구항
1 1
태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각공정에 있어서, 세정제 전처리제(cleaning agent)를 이용한 세정단계; 및불산, 질산 및 인산으로 구성된 에칭액(etching solution)에 식각처리 하는 단계;를 포함하며,상기 세정단계는, 질산, 과산화수소 및 물의 체적비가 1:2
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상온에서 50초~5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상기 에칭액이 농도 35%의 불산, 농도 45%의 질산, 농도 10%의 인산이 1:2:2의 비율로 구성된 혼합액이고, 상온에서 1분간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.