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태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각공정에 있어서, 세정제 전처리제(cleaning agent)를 이용한 세정단계; 및불산, 질산 및 인산으로 구성된 에칭액(etching solution)에 식각처리 하는 단계;를 포함하며,상기 세정단계는, 질산, 과산화수소 및 물의 체적비가 1:2
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태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각공정에 있어서, 세정제 전처리제(cleaning agent)를 이용한 세정단계; 및불산, 질산 및 인산으로 구성된 에칭액(etching solution)에 식각처리 하는 단계;를 포함하며,상기 세정단계는, 질산, 과산화수소 및 물의 체적비가 1:2
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상온에서 30초~5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상기 에칭액이 농도 37~38%의 불산, 농도 56~57%의 질산, 농도 12~13%의 인산이 1:2:2의 비율로 구성된 혼합액이고, 상온에서 1분간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상기 에칭액이 농도 37~38%의 불산, 농도 56~57%의 질산, 농도 8%의 인산이 1:2:2의 비율로 구성된 혼합액이고, 상온에서 30초간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상기 에칭액이 농도 37~38%의 불산, 농도 56~57%의 질산, 농도 21%의 초산이 1:2:2의 비율로 구성된 혼합액이고, 상온에서 1분간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 식각단계는, 상기 에칭액이 농도 37~38%의 불산, 농도 56~57%의 질산, 농도 10~11%의 초산이 1:2:2의 비율로 구성된 혼합액이고, 상온에서 5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면처리용 텍스쳐링 방법
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