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투명기판에 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층 상부에 도핑되지 않은 실리콘층을 증착 및 패터닝하는 단계와;상기 도핑되지 않은 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층으로 만드는 단계와;상기 다결정 실리콘층과 상기 버퍼층 상부에 소스와 드레인을 위한 알루미늄 금속막을 형성하는 단계와;상기 알루미늄 금속막과 상기 다결정 실리콘층 상부에 절연막을 형성하는 단계와;열처리하여 상기 알루미늄 금속막에서 상기 다결정 실리콘층으로 캐리어를 도핑하는 단계와;상기 절연막 상부에 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 투명기판에 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 투명기판의 표면을 세정한 후, SiH4가스와 N2O 가스가 혼합된 가스 분위기에서 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비로 버퍼 역할을 하는 SiO2 버퍼층을 증착하는 단계인 다결정 실리콘 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 버퍼층 상부에 도핑되지 않은 실리콘층을 증착 및 패터닝하는 단계는,PECVD 장비에서 SiH4가스와 H2 가스가 혼합된 가스 분위기에서 상기 도핑되지 않은 실리콘층을 증착한 다음, 시진식각 공정으로 패터닝하는 단계인 다결정 실리콘 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 도핑되지 않은 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층으로 만드는 단계는,퍼니스(Furnace) 장비를 사용하여, 400℃ ~ 800℃에서 열처리하여 상기 도핑되지 않은 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 단계인 다결정 실리콘 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 알루미늄 금속막과 상기 다결정 실리콘층 상부에 절연막을 형성하는 단계는,SiH4가스, NH3 가스와 H2 가스가 혼합된 가스 분위기에서 상기 알루미늄 금속막과 상기 다결정 실리콘층 상부에 SiNx를 증착하는 단계인 다결정 실리콘 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 1 내지 5 중 한 항에 있어서, 상기 열처리하여 상기 알루미늄 금속막에서 상기 다결정 실리콘층으로 캐리어를 도핑하는 단계는, 퍼니스 장비에서 350℃의 온도로 3-4시간 열처리하여 상기 알루미늄 금속막에서 상기 다결정 실리콘층으로 캐리어를 도핑하는 단계인 다결정 실리콘 트랜지스터의 제조 방법
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