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마이크로 볼로미터

  • 기술번호 : KST2015205729
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로 볼로미터는 제1 및 제2 단자들이 형성된 기판, 상기 기판의 상면으로부터 이격 되며 온도에 대응하여 전기적 저항이 변경되는 검출판, 상기 검출판의 일측 에지를 따라 띠 형상으로 형성되며 일측은 상기 검출판에 전기적으로 접속되고 상기 일측과 대향 하는 타측은 상기 제1 단자와 접속되는 제1 배선, 상기 검출판의 상기 일측 에지와 대향 하는 타측 에지를 따라 띠 형상으로 형성되며 일측은 상기 검출판에 전기적으로 접속되고 상기 일측과 대향 하는 타측은 상기 제2 단자와 접속되는 제2 배선 및 상기 제1 배선, 상기 제2 배선 및 상기 검출판의 상면 및 하면을 덮는 제1 및 제2 절연막 패턴들을 포함하며, 상기 금속 배선 및 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들은 동일한 폭으로 형성된다.
Int. CL G01K 7/16 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01) G01J 5/20 (2006.01)
CPC G01J 5/26(2013.01)G01J 5/26(2013.01)G01J 5/26(2013.01)G01J 5/26(2013.01)G01J 5/26(2013.01)
출원번호/일자 1020100101157 (2010.10.08)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1237100-0000 (2013.02.19)
공개번호/일자 10-2012-0036717 (2012.04.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.23)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승만 대한민국 충청남도 아산시
2 천창환 대한민국 서울특별시 서초구
3 한창석 대한민국 충청남도 천안시 서북구
4 한승오 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 충청남도 아산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-5034600-92
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.10.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0682049-71
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0681705-46
4 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0682106-86
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-5035770-13
6 보정요구서
Request for Amendment
2010.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0096921-28
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0723070-26
8 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2010.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0102672-41
9 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2010.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0753210-70
10 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0103398-14
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0765764-77
12 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0765831-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5143226-24
14 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
15 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006529-30
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0059082-47
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0191220-79
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0191219-22
19 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0512267-46
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0728960-87
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0728958-95
22 등록결정서
Decision to grant
2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0100601-31
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 및 제2 단자들이 형성된 기판;상기 기판의 상면으로부터 이격 되며 온도에 대응하여 전기적 저항이 변경되는 검출판;상기 검출판의 일측 에지를 따라 띠 형상으로 형성되며 일측은 상기 검출판에 전기적으로 접속되고 상기 일측과 대향 하는 타측은 상기 제1 단자와 접속되는 제1 배선;상기 검출판의 상기 일측 에지와 대향 하는 타측 에지를 따라 띠 형상으로 형성되며 일측은 상기 검출판에 전기적으로 접속되고 상기 일측과 대향 하는 타측은 상기 제2 단자와 접속되는 제2 배선; 및상기 제1 배선, 상기 제2 배선 및 상기 검출판의 상면 및 하면을 덮는 제1 및 제2 절연막 패턴들을 포함하며,상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들은 동일한 폭으로 형성된 마이크로 볼로미터
2 2
제1항에 있어서,상기 각 제1 및 제2 배선들은 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들과 동일한 패턴으로 형성됨으로써 상기 제1 및 제2 배선들의 양쪽 측면들은 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들에 의하여 노출되는 마이크로 볼로미터
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 절연막 패턴들은 질화막을 포함하는 마이크로 볼로미터
4 4
제1항에 있어서,상기 기판은 상기 제1 및 제2 단자들과 전기적으로 연결된 전기 회로가 형성된 반도체 기판을 포함하는 마이크로 볼로미터
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 배선들은 알루미늄 배선을 포함하는 마이크로 볼로미터
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 배선들은 이중 금속막을 포함하는 마이크로 볼로미터
7 7
제6항에 있어서,상기 이중 금속막은 니켈막/크롬막 및 니켈막/티타늄막 중 어느 하나를 포함하는 마이크로 볼로미터
8 8
제1항에 있어서,상기 검출판과 대응하는 상기 기판상에는 반사판이 배치되며, 상기 반사판은 상기 제1 및 제2 단자 중 어느 하나와 전기적으로 접속된 마이크로 볼로미터
9 9
제1항에 있어서,상기 검출판은 바나듐 산화막을 포함하는 마이크로 볼로미터
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 배선들의 측면과 마주하는 상기 검출판의 측면은 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들로부터 노출되는 마이크로 볼로미터
11 11
제1항에 있어서,상기 기판은 산화막 및 상기 산화막 상에 배치된 질화막을 포함하며, 상기 산화막 및 상기 질화막은 상기 제1 및 제2 단자들을 노출하는 개구를 포함하는 마이크로 볼로미터
12 12
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 검출판은 일부가 상호 오버랩되는 마이크로 볼로미터
13 13
기판상에 전기 회로와 연결된 제1 및 제2 단자들을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 단자들을 노출하는 희생패턴을 상기 기판에 형성하는 단계;상기 희생패턴 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 단자들을 노출하는 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 단자들과 각각 접속되는 띠 형상의 제1 및 제2 배선들을 형성하는 단계;상기 희생 패턴 상에 상기 제1 및 제2 배선들과 일부가 오버랩되며 상기 제1 및 제2 배선의 측면과 접촉되는 검출판을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 검출판을 덮는 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막에 상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 검출판들이 이루는 경계를 노출하는 식각 패턴을 형성하는 단계; 및상기 식각 패턴을 이용하여 상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 검출판의 상기 경계를 이방성 식각 하는 단계를 포함하는 마이크로 볼로미터의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 경계를 이방성 식각 하는 단계 이후, 상기 희생 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 마이크로 볼로미터의 제조 방법
15 15
제13항에 있어서,상기 희생패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판상에 상기 제1 및 제2 단자들 중 어느 하나와 전기적으로 접속된 반사판을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로 볼로미터의 제조 방법
16 16
제13항에 있어서,상기 제1 및 제2 배선들을 형성하는 단계에서, 상기 제1 및 제2 배선들을 형성하는 금속막은 알루미늄막, 니켈막/크롬막 및 니켈막/티타늄막 중 어느 하나로 형성된 마이크로 볼로미터의 제조 방법
17 17
제13항에 있어서,상기 식각 패턴을 이용하여 상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 검출판의 상기 경계를 이방성 식각 하는 단계에서, 상기 제1 및 제2 배선들 및 상기 제1 및 제2 배선들의 상면 및 하면에 각각 형성된 상기 제1 및 제2 절연막들은 동일한 폭으로 형성된 마이크로 볼로미터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.