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압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015205757
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법에 관한 것으로 제작이 용이하면서 출력 성능이 개선된 압전형 초소형 스피커를 제조하는 방법과 그 방법으로 만들어진 스피커를 제공하는 것을 목적으로 한다.이를 위해 본 발명은, 압전형 초소형 스피커의 다이어프램의 압축성 박막에 인공적인 요철을 주고 다이어프램 상부에 패키지 구조를 설치하여 스피커의 성능을 향상시키는 방법 및 그 방법으로 만들어진 스피커를 제시한다.본 발명에 의한 압전형 초소형 스피커는 멤브레인의 변위가 증가되고, 패키지에 의해 음압을 증폭함으로써 초소형 스피커의 출력이 향상되는 효과를 가진다.
Int. CL H04R 31/00 (2006.01.01) G10K 9/122 (2006.01.01) H01L 41/083 (2006.01.01) B06B 1/06 (2006.01.01)
CPC H04R 31/006(2013.01) H04R 31/006(2013.01) H04R 31/006(2013.01) H04R 31/006(2013.01)
출원번호/일자 1020067012845 (2003.11.27)
출원인 한국교통대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0791084-0000 (2007.12.26)
공개번호/일자 10-2006-0127013 (2006.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20080103) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2003/002582 (2003.11.27)
국제공개번호/일자 WO2005053357 (2005.06.09)
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승환 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정훈 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act
2006.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0455073-71
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0105100-97
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0320500-25
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0578847-33
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0578850-71
6 등록결정서
Decision to grant
2007.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0683465-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5050068-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2013-0036542-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039896-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1)실리콘 기판 일면의 외측부를 식각하여 기판 상에 요철을 형성하는 단계;2)상기 기판 양면에 압축성 박막을 형성하는 단계;3)상기 요철로 둘러싸인 기판면 중앙부 및 요철 외측 일부에 하부 전극을 형성하는 단계;4)상기 기판 중앙부에 형성된 하부 전극을 덮는 압전 박막을 형성하는 단계;5)상기 기판면 전체에 하부 절연막을 형성하는 단계;6)상기 기판 중앙부의 하부 절연막 상 및 요철 외측 하부 전극과 겹치지 않는 위치에 상부 전극을 형성하는 단계;7)상기 기판면 전체에 상부 절연막을 형성하는 단계; 및8)상기 중앙부 및 요철 하부의 실리콘 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 4)단계의 압전 박막은 ZnO 및 AlN 중 하나인 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 하부 및 상부 절연막은 Parylene-C 및 Parylene-D 중 하나인 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제작 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 하부 전극은 공통 전극이고, 상기 상부 전극은 두개로 나누어진 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제작 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
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1 WO2005053357 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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