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스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015205763
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 CoSb3 스커테루다이트의 공극에 In을 충진시킨 InzCo4Sb12 스커테루다이트계 열전재료와 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 In을 충진하는 그 제조방법에 관한 것이다.이를 위하여 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료는, CoSb3을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 In으로 충진되어 InzCo4Sb12의 조성을 가지며, 상기 z가 0z≤0.3 범위에 있는 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료 제조방법은, InzCo4Sb12의 조성을 가지는 스커테루다이트 열전재료의 제조방법에 있어서, 원료물질인 Co, Sb 및 In을 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물에 기계적인 진동을 가하면서, 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 재료를 상의 균질화 및 In을 공극에 충진시키기 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.열전재료, 열전소재, 고효율 열전재료, 스커테루다이트, In충진 CoSb₃
Int. CL H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 35/18 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070091772 (2007.09.10)
출원인 한국교통대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0026664 (2009.03.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어순철 대한민국 충청북도 충주시
2 김일호 대한민국 충청북도 충주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0656452-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0068085-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0157107-84
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0360354-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0360342-67
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0358929-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5050068-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2013-0036542-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039896-32
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번호 청구항
1 1
스커테루다이트계 열전재료에 있어서,단위격자 내의 공극이 In으로 충진되어 InzCo4Sb12의 조성을 가지며,상기 z가 0<z≤0
2 2
제1항에 있어서,상기 z=0
3 3
스커테루다이트계 열전재료의 제조방법에 있어서,원료물질인 Co, Sb 및 In을 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계;상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계;상기 재료를 상의 균질화 및 In을 공극에 충진시키기 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함하여 InzCo4Sb12의 조성의 물질을 만드는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트계 열전재료 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 가열 용해 단계가 기계적인 진동이 가해진 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트계 열전재료 제조방법
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서,상기 진공 열처리 단계가 823K에서 6일 동안 항온 열처리함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 스커테루다이트계 열전재료 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 z=0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.