| 요약 |
본 발명은 열전특성이 우수한 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 CoSb3 스커테루다이트의 공극에 Sn을 충진시키고 Te를 Sb와 치환시킨 SnzCo4Sb12-yTey 스커테루다이트계 열전재료와, 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 Sn을 충진하고 Te를 도핑하는 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은, CoSb3을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 Sn으로 충진되고 Te가 도핑되어 SnzCo4Sb12-yTey의 조성을 가지며, 상기 z와 y가 0＜z≤0.25 및 0＜y≤0.375 범위에 있는 것을 특징으로 한다. 또 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료 제조방법은, SnzCo4Sb12-yTey의 조성을 가지는 스커테루다이트 열전재료의 제조방법에 있어서, 원료물질인 Co, Sb, Sn 및 Te를 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 용해된 재료를 제2상의 형성을 방지하기 위하여 물속에서 급랭하는 단계, 상기 재료를 Sn의 공극 충진과 Te의 활성화를 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함한다. 열전재료, 열전소재, 고효율 열전재료, 스커테루다이트, Sn충진, Te도핑
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