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원소 상태의 Mg 및 Si 분말을 준비하는 단계;상기 분말을 혼합하는 단계;혼합된 분말을 고상 반응시키는 단계; 상기 고상 반응하여 얻은 생성물과 Te 분말을 기계적 합금화 처리하여 Te을 도핑하는 단계; 및Te-도핑된 Mg2Si 분말을 열간압축하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 고상 반응 시간은 673 내지 773K 온도에서 6 내지 12시간 열처리하는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기계적 합금화 처리는 비활성 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기계적 합금화 처리는 밀링에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 밀링은 200 내지 400 rpm의 회전 속도로 20 내지 30시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 열간압축은 950 내지 1150K 온도에서 90분 내지 150분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 열간압축은 50MPa 내지 90MPa 압력에서 수행하는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료는 화학식 Mg2Si:Tem으로 표시되며, 여기서 m은 0003c#m≤0
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청구항 1에 있어서, 상기 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료는 화학식 Mg2Si:Tem으로 표시되며, 여기서 m은 0
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청구항 1에 있어서, 상기 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료는 n형 반도체 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료의 제조방법
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11
화학식 Mg2Si:Tem(여기서, m은 0003c#m≤0
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청구항 11에 있어서,m이 0
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청구항 11에 있어서,n형 반도체 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 Te-도핑된 Mg2Si 열전재료
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