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실리콘 웨이퍼의 표면을 알카리 용액으로 처리하는 1차 텍스처링 공정;상기 1차 텍스처링 공정 후에 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속막을 형성하는 금속막형성공정;상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 산성용액을 포함하는 용액으로 처리하는 2차 텍스처링 공정;을 포함하여 구성되는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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청구항 1에 있어서,상기 1차 텍스처링 공정은,실리콘 웨이퍼의 표면에 피라미드 구조의 요철패턴을 형성하는 공정인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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청구항 2에 있어서,상기 1차 텍스처링 공정은,상기 알카리용액을 수산화칼륨, 수산화나트륨 및 수산화암모늄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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청구항 2에 있어서,상기 금속막형성공정은,상기 요철패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면의 전면에 금속막을 형성하는 공정인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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청구항 2에 있어서,상기 금속막형성공정은,상기 요철패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면에 분리구조의 금속 도트패턴(island structure)을 형성하는 공정인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,상기 금속막형성공정은,Ag, Au, Sn, Cu, Pt, Pd 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 이용하여 형성하는 공정인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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청구항 1에 있어서,상기 2차 텍스처링 공정은,HF, H2O2, DI가 혼합된 촉매용액에 상기 실리콘 웨이퍼를 투입하고,중탕을 이용하여 금속 촉매 반응을 유도하여 이루어지는 공정인 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법
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