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비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015205907
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것으로, 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘 박막에 대하여 예비적으로 열처리하는 핵생성 열처리 단계; 및 상기 핵생성 열처리를 거친 박막에 대하여 추가적으로 열처리하는 결정화 열처리 단계를 포함하고, 상기 핵생성 열처리 단계는 상기 결정화 열처리 단계보다 높은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 한다. 특히, 핵생성 열처리 단계는 각 핵생성 열처리 온도에서 결정핵이 생성될 때까지의 시간인 잠복기이하의 시간동안 수행되는 것이 바람직하다.본 발명은, 2단계의 열처리 공정을 통해 비정질 실리콘을 결정화함으로써, 전기적 특성의 열화가 거의 없이 결정화를 위한 열처리 시간을 크게 단축할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020120008459 (2012.01.27)
출원인 한국교통대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1348991-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자 10-2013-0087261 (2013.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권순용 대한민국 충청북도 충주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 충청북도 충주시 대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0070633-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5050068-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0024647-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0425349-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2013-0036542-01
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0758175-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0758174-99
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0908162-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039896-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘 박막에 대하여 640~680℃ 범위에서 12~15분 동안 예비적으로 열처리하는 핵생성 열처리 단계; 및상기 핵생성 열처리를 거친 박막에 대하여 600~610℃ 범위에서 추가적으로 열처리하는 결정화 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 핵생성 열처리 단계가 각 핵생성 열처리 온도에서 결정핵이 생성될 때까지의 시간인 잠복기이하의 시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 핵생성 열처리 단계가 급속 열처리(RTP, rapid thermal processing) 장치에서 수행되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계가 PECVD법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 3 및 청구항 7 중에 하나의 방법으로 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 재질의 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지 제조방법
9 9
청구항 8의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 충주대학교 산학협력단 지역혁신센터사업 친환경에너지부품소재센터