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그래핀 공급원을 황산 및 질산을 혼합한 강산과 50 내지 120℃의 온도에서 반응시키는 단계와; 상기 반응액에 NaOH 및 NaCO3를 첨가하여 중화반응시키는 단계를 포함하되,S1) 황산 및 질산을 강산 혼합액에 CF를 첨가하는 단계;S2) 상기 S1)의 강산 혼합액을 고주파 처리한 후 반응시키는 단계;S3) 상기 S2)의 반응액에 시트르산 첨가하고 1시간 동안 교반하는 단계;S4) 상기 S3)의 반응액에 탈이온수(Di water)를 첨가하는 단계;S5) 상기 S4)의 반응액에 NaOH와 NaCO3를 순차적으로 첨가하여 중화시키는 단계; 및S6) 상기 S5)의 반응액을 서서히 교반하면서 불순물을 제거하고, 동결건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 근적외선(near infra-red; NIR) 그래핀 양자점(graphene quantum dots; GQDs)의 합성방법
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제1항에 있어서,상기 S1)단계의 황산 및 질산은 4~8:2~4의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 근적외선 그래핀 양자점(NIR GQDs)의 합성방법
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제1항에 있어서,상기 S2)단계의 고주파 처리는 프로브 타입 초음파 장치를 이용하여 60~65℃에서 10분간 고주파 처리한 후, 배쓰 고주파 장치를 이용하여 실온에서 1시간 동안 고주파 처리하는 것을 특징으로 하는 근적외선 그래핀 양자점(NIR GQDs)의 합성방법
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제1항에 있어서,상기 S2)단계의 반응은 50 내지 120℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 근적외선 그래핀 양자점(NIR GQDs)의 합성방법
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제1항에 있어서,상기 S3)단계의 시트르산은 반응액 100중량부에 대하여 50 내지 150중량부로 첨가되는 것을 특징으로 하는 근적외선 그래핀 양자점(NIR GQDs)의 합성방법
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제1항에 있어서,상기 S4)단계의 탈이온수는 반응액에 5 내지 15중량부의 비율로 첨가되는 것을 특징으로 하는 근적외선 그래핀 양자점(NIR GQDs)의 합성방법
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제1항에 있어서,상기 S5)단계의 NaOH는 반응액의 pH가 1이 될 때까지 첨가하고, NaCO3는 반응액의 pH 7
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