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1
가운데 부분이 개구된 형상을 갖는 제1 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열의 상부에 배치되고, 가운데 부분이 개구된 형상을 갖는 제2 영구자석 배열;상기 제1 및 제2 영구자석 배열의 상기 개구된 부분 내에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 제2 자기장과 동기 결합할 수 있는 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터; 및상기 제1 및 제2 영구자석 배열의 외측면을 둘러싸도록 배치되고, 상기 제1 모듈레이터와 함께 상기 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 상기 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제2 모듈레이터를 포함하는 가감속 장치
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2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 상기 개구부에 의해 정의되는 제1 내부 원주면, 상기 제1 내부 원주면과 마주보는 제1 외부 원주면, 상기 제1 내부 원주면과 상기 제1 외부 원주면을 연결하는 제1 상부면과 제1 하부면을 포함하고, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 개구부에 의해 정의되고 상기 제1 내부 원주면 상부에 위치하는 제2 내부 원주면, 상기 제1 외부 원주면 상부에 위치하고 상기 제2 내부 원주면에 대향하는 제2 외부 원주면, 상기 제1 하부면과 마주보고 상기 제2 내부 원주면과 상기 제2 외부 원주면을 연결하는 제2 상부면 및 상기 제2 상부면과 대향하고 상기 제2 내부 원주면과 상기 제2 외부 원주면을 연결하는 제2 하부면을 포함하며, 제1 모듈레이터는 상기 제1 및 제2 내부 원주면과 인접하게 배치되며, 상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 및 제2 외부 원주면과 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 가상의 제1 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 K개의 제1 영구자석 및 K개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 제1 원의 상부에 위치하고 상기 제1 원과 동일한 반지름을 갖는 가상의 제2 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 L개의 제3 영구자석 및 L개의 제4 영구자석을 포함하고, 상기 제1 모듈레이터는 상기 제1 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제3 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제1 강자성체를 포함하고,상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제4 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제2 강자성체를 포함하며,상기 K는 1 이상의 정수이고 상기 L은 상기 K보다 큰 정수이며 상기 X는 상기 L보다 큰 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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4 |
4
제3항에 있어서, 상기 제1 영구자석은 상기 제1 원의 원주에서 상기 제1 원의 중심 방향으로 자화되고, 상기 제2 영구자석은 상기 제1 원의 중심에서 상기 제1 원의 원주 방향으로 자화되고,상기 제3 영구자석은 상기 제2 원의 원주에서 상기 제2 원의 중심 방향으로 자화되며, 상기 제4 영구자석은 상기 제2 원의 중심에서 상기 제2 원의 원주 방향으로 자화된 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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5 |
5
제3항에 있어서, 상기 K, L 및 X는 하기 식 1의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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6 |
6
제3항에 있어서, 상기 제2 강자성체들은 상기 제1 및 제2 영구자석 배열을 사이에 두고 상기 제1 강자성체들과 각각 마주보도록 배치되고,상기 제1 및 제2 강자성체들 각각은 상기 제1 및 제2 영구자석 배열과 이격되게 배치된 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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7 |
7
제3항에 있어서, 상기 제1 강자성체들 및 상기 제2 강자성체들의 높이는 서로 동일하고,상기 제1 및 제2 강자성체들의 상기 높이는 상기 제1 영구자석 배열의 하부면으로부터 상기 제2 영구자석 배열의 상부면까지의 거리보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 모듈레이터는 상기 제1 및 제2 영구자석 배열이 회전하더라도 정지 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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9 |
9
가운데 부분이 개구된 제1 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열 상부에 배치되고 가운데 부분이 개구된 제2 영구자석 배열;상기 제2 영구자석 배열의 외측면을 감싸도록 배치된 제3 영구자석 배열;상기 제3 영구자석 배열의 하부에 위치하고 상기 제1 영구자석 배열의 외측면을 감싸도록 배치된 제4 영구자석 배열;적층된 상기 제1 및 제2 영구자석 배열의 상기 개구된 부분 내에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 제2 자기장과 동기 결합할 수 있는 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터;적층된 상기 제1 및 제2 영구자석 배열과 적층된 상기 제3 및 제4 영구자석 배열 사이에 배치되고, 상기 제1 모듈레이터와 함께 상기 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 상기 제1 하모닉 성분을 생성하며, 상기 제3 영구자석 배열에 의해 생성된 제3 자기장을 변형시켜 상기 제3 자기장에 상기 제4 영구자석 배열에 의해 생성된 제4 자기장과 동기 결합할 수 있는 제2 하모닉 성분들을 생성하는 제2 모듈레이터;적층된 상기 제3 및 제4 영구자석 배열의 외측면을 감싸도록 배치되고, 상기 제2 모듈레이터와 함께 상기 제3 자기장을 변형시켜 상기 제3 자기장에 상기 제2 하모닉 성분을 생성하는 제3 모듈레이터; 및상기 제2 영구자석 배열과 상기 제3 영구자석 배열을 연결시키는 연결부재를 포함하는 가감속 장치
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10
제9항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 가상의 제1 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 K개의 제1 영구자석 및 K개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 제1 원의 상부에 위치하고 상기 제1 원과 동일한 반지름을 갖는 가상의 제2 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 L개의 제3 영구자석 및 L개의 제4 영구자석을 포함하고, 상기 제3 영구자석 배열은 상기 제2 원과 동일 평면에 위치하고 상기 제2 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제3 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 M개의 제5 영구자석 및 M개의 제6 영구자석을 포함하고, 상기 제4 영구자석 배열은 상기 제1 원과 동일 평면에 위치하고 상기 제3 원과 동일한 반지름을 갖는 가상의 제4 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 N개의 제7 영구자석 및 N개의 제6 영구자석을 포함하고, 상기 제1 모듈레이터는 상기 제1 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제5 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제1 강자성체를 포함하고,상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 원보다 크고 상기 제3 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제6 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제2 강자성체를 포함하고,상기 제3 모듈레이터는 상기 제3 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제7 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제3 강자성체를 포함하며,상기 K 및 M은 1 이상의 정수이고, 상기 L은 상기 K보다 큰 정수이고, 상기 N은 상기 M보다 큰 정수이며, 상기 X는 상기 L 및 상기 M보다 큰 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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11
제10항에 있어서, 상기 K, L, M, N 및 X는 하기 식 2 및 식 3의 관계를 모두 만족하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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12
제10항에 있어서, 상기 제2 강자성체들은 상기 제1 및 제2 영구자석 배열을 사이에 두고 상기 제1 강자성체들과 각각 마주보도록 배치되고,상기 제3 강자성체들은 상기 제3 및 제4 영구자석 배열을 사이에 두고 상기 제2 강자성체들과 각각 마주보도록 배치되는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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13
제9항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 모듈레이터는 상기 제1 내지 제4 영구자석 배열이 회전하더라도 정지 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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14
가운데 부분이 개구된 제1 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열 상부에 배치되고 가운데 부분이 개구된 제2 영구자석 배열;상기 제2 영구자석 배열의 외측면을 감싸도록 배치된 제3 영구자석 배열;상기 제3 영구자석 배열의 하부에 위치하고 상기 제1 영구자석 배열의 외측면을 감싸도록 배치된 제4 영구자석 배열;적층된 상기 제1 및 제2 영구자석 배열의 상기 개구된 부분 내에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 제2 자기장과 동기 결합할 수 있는 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터;적층된 상기 제1 및 제2 영구자석 배열과 적층된 상기 제3 및 제4 영구자석 배열 사이에 배치되고, 상기 제1 모듈레이터와 함께 상기 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 상기 제1 하모닉 성분을 생성하며, 상기 제4 영구자석 배열에 의해 생성된 제4 자기장을 변형시켜 상기 제4 자기장에 상기 제3 영구자석 배열에 의해 생성된 제3 자기장과 동기 결합할 수 있는 제2 하모닉 성분들을 생성하는 제2 모듈레이터;적층된 상기 제3 및 제4 영구자석 배열의 외측면을 감싸도록 배치되고, 상기 제2 모듈레이터와 함께 상기 제4 자기장을 변형시켜 상기 제4 자기장에 상기 제2 하모닉 성분을 생성하는 제3 모듈레이터;상기 제2 영구자석 배열과 상기 제3 영구자석 배열을 연결시키는 제1 연결부재; 및상기 제1 영구자석 배열과 상기 제4 영구자석 배열을 연결시키는 제2 연결부재를 포함하는 가감속 장치
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제14항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 가상의 제1 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 K개의 제1 영구자석 및 K개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 제1 원의 상부에 위치하고 상기 제1 원과 동일한 반지름을 갖는 가상의 제2 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 L개의 제3 영구자석 및 L개의 제4 영구자석을 포함하고, 상기 제3 영구자석 배열은 상기 제2 원과 동일 평면에 위치하고 상기 제2 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제3 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 M개의 제5 영구자석 및 M개의 제6 영구자석을 포함하고, 상기 제4 영구자석 배열은 상기 제1 원과 동일 평면에 위치하고 상기 제3 원과 동일한 반지름을 갖는 가상의 제4 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 서로 반대 방향으로 자화된 N개의 제7 영구자석 및 N개의 제6 영구자석을 포함하고, 상기 제1 모듈레이터는 상기 제1 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제5 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제1 강자성체를 포함하고,상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 원보다 크고 상기 제3 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제6 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제2 강자성체를 포함하고,상기 제3 모듈레이터는 상기 제3 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제7 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제3 강자성체를 포함하며,상기 K 및 N은 1 이상의 정수이고, 상기 L은 상기 K보다 큰 정수이고, 상기 M은 상기 N보다 큰 정수이며, 상기 X는 상기 L 및 상기 N보다 큰 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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16
제15항에 있어서, 상기 K, L, M, N 및 X는 하기 식 4 및 식 5의 관계를 모두 만족하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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17
제1 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열을 둘러싸도록 배치된 제2 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열과 상기 제2 영구자석 배열의 하부에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터; 및상기 제1 영구자석 배열과 상기 제2 영구자석 배열 상부에 배치되고, 상기 제1 모듈레이터와 함께 상기 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제2 모듈레이터를 포함하는 가감속 장치
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18
제17항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 가상의 제1 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 각각 상부 방향 및 하부 방향으로 자화된 K개의 제1 영구자석 및 K개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 제1 원과 동일 평면에 위치하고 상기 제1 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제2 원의 원주 방향을 따라 교대로 배열되고 각각 상기 상부 방향 및 상기 하부 방향으로 자화된 L개의 제3 영구자석 및 L개의 제4 영구자석을 포함하고, 상기 제1 모듈레이터는 상기 제1 원의 하부에 위치하는 가상의 제3 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제1 강자성체를 포함하고,상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 원의 상부에 위치하는 가상의 제4 원의 원주방향을 따라 배열된 X개의 제2 강자성체를 포함하며,상기 K는 1 이상의 정수이고, 상기 L은 상기 K보다 큰 정수이며, 상기 X는 상기 L보다 큰 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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19
제18항에 있어서, 상기 K, L 및 X는 하기 식 6의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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20
제18항에 있어서, 상기 제1 강자성체들은 상기 제1 및 제2 영구자석 배열을 사이에 두고 상기 제2 강자성체들과 각각 마주보도록 배치된 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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