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구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 증착하는 단계; 및 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며,상기 인듐(In) 전구체를 증착하는 단계는, 산화인듐(In2O3)을 타겟으로 하여 산화인듐(In2O3) 박막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화인듐(In2O3) 박막을 환원시켜 산소를 제거함으로써 인듐(In)층을 형성하는 것임을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 구리(Cu) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 증착하는 단계는 구리-갈륨(Cu-Ga) 합금을 타겟으로 하여 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착된 산화인듐(In2O3) 박막을 환원시키는 것은 수소가스(H2) 분위기에서의 열처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제3항에 있어서,상기 열처리는 300 ~ 600℃의 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링(sputtering) 공정은 1 ~ 10 mtorr 아르곤(Ar) 분압에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리하는 단계는 350 ~ 600℃의 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 따라 CIGS 광흡수층을 제조하는 단계; 및 상기 CIGS 광흡수층 상에 버퍼(buffer)층을 증착하는 단계;를 포함하는 CIGS 박막 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 버퍼(buffer)층은 CdS(Cadmium Sulfide) 또는 ZnS(Zinc Sulfide)로 이루어진 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지 제조방법
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