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고상 반응법에 의한 Ｍｇ２ Ｓｉ 열전재료 제조방법

  • 기술번호 : KST2015206081
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고상 반응법에 의한 Mg2Si 제조방법 및 이에 의한 열전재료 Mg2Si에 관한 것이다. 이를 위하여, 아래와 같은 단계로 이루어지는 고효율 열전재료 제조방법을 제공한다. 원소 상태의 Mg 및 Si 분말을 준비하는 단계; 상기 분말을 혼합하는 단계; 혼합된 분말을 고상 반응하는 단계; 상기 고상 반응하여 얻은 분말을 분쇄하는 단계; 및 상기 분쇄하여 얻은 분말을 열간압축하는 단계.
Int. CL H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100036868 (2010.04.21)
출원인 한국교통대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0117422 (2011.10.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일호 대한민국 충청북도 충주시
2 정재용 대한민국 충청북도 충주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0255166-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0036870-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0391708-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0718103-62
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0718105-53
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0705622-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5050068-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2013-0036542-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039896-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원소 상태의 Mg 및 Si 분말을 준비하는 단계;상기 분말을 혼합하는 단계;혼합된 분말을 고상 반응하는 단계; 상기 고상 반응하여 얻은 분말을 분쇄하는 단계; 및상기 분쇄하여 얻은 분말을 열간압축하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 열간압축 단계 이후, 도핑 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 고상 반응 시간은 6 내지 12시간 열처리 하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 고상 반응은 673 내지 773K 온도에서 열처리 하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 분쇄는 200 내지 400rpm 회전 속도로 하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 분쇄는 20 내지 30시간 동안 하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 열간압축은 950 내지 1150K 온도에서 하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 열간압축은 90분 내지 150분 동안 하는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 열간압축은 50MPa 내지 90MPa 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고상 반응법에 의한 Mg2Si 열전재료 제조방법
10 10
청구항 1항 내지 청구항 9 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 Mg2Si 열전재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.