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실리콘 반도체 기판의 표면을 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 불산 또는 불화질산으로 에칭한 후에 광입사면으로 된 실리콘 기판의 표면에 드라이 에칭이나 웨트(wet) 에칭을 이용하여 요철면을 형성한 후, 상기 실리콘 반도체 기판의 표면에 레진층을 형성하는 1단계;상기 레진층 상에 전극형성틀을 가압하여 상기 레진층을 패터닝하는 2단계;상기 패터닝된 레진층 상에 전극물질층을 형성하는 3단계; 및상기 레진층을 제거하여 전극을 형성하는 4단계;를 포함하며,상기 2단계는, 금형에 전극패턴에 대응되는 요철패턴을 구비한 전극형성틀을 가압하여 전극형성부위의 레진물질을 제거하고, 여기서 상기 요철패턴의 깊이는 상기 레진층의 두께 이하로 형성되어 상기 요철패턴의 가압으로 인해 전극형성부위의 레진이 제거되며,상기 3단계는 패터닝된 레진의 높이 이상으로 전극물질층을 형성하고,상기 4단계는, 상기 레진 상의 오목패턴에 충진된 전극물질을 남기고 전극물질층을 제거한 후, 상기 오목패턴을 구성하는 잔류 레진층을 제거하며,상기 전극물질층은 Au, Pt, Pd, Ru, Ni, Cu, Sn, In, Zn, Fe, Cr, Co, Ti, Ag 및 Mn 으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합 조성 또는 합금 조성으로 이루어지고 30㎛이하의 구조를 가지는 전극 패턴을 포함하며,상기 전극물질층의 형성은, 전기도금(electroplating), 무전해도금(electroless plating), 도전성 페이스트 인쇄법 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 레진층은 에폭시, 감광성 수지, 폴리이미드계 감광성 수지, 자외선(UV) 경화수지, 열경화수지 중 어느 하나를 포함하고, 상기 자외선 경화수지는 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 실리콘 아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 에폭시, 비닐에스테르(vinyl ether)에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법
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