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제1 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열을 둘러싸도록 배치된 제2 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열과 상기 제2 영구자석 배열 사이에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터; 및상기 제2 영구자석 배열과 상기 제1 모듈레이터 사이에 배치되고, 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 제2 자기장을 변형시켜 상기 제2 자기장에 상기 제1 하모닉 성분들과 자기 결합하는 제2 하모닉 성분을 생성하는 제2 모듈레이터를 포함하는 가감속 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 가상의 평면에 위치하는 제1 원의 원주 방향을 따라 배열되고 상기 제1 원의 반지름 방향으로 자화된 복수의 영구자석들을 포함하고,상기 제2 영구자석 배열은 상기 평면 상에 존재하고, 상기 제1 원과 동일한 중심을 가지며, 상기 제1 원보다 큰 반지름을 갖는 가상의 제2 원의 원주 방향을 따라 배열되고 상기 제2 원의 반지름 방향으로 자화된 복수의 영구자석들을 포함하고,상기 제1 모듈레이터는 상기 평면 상에 존재하고, 상기 제1 원과 동일한 중심을 가지며, 상기 제1 원보다 크고 상기 제2 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제3 원의 원주방향을 따라 서로 일정 간격으로 이격되게 배치된 복수의 제1 강자성체를 포함하며, 상기 제2 모듈레이터는 상기 평면 상에 존재하고, 상기 제1 원과 동일한 중심을 가지며, 상기 제3 원보다 크고 상기 제2 원보다 작은 반지름을 갖는 가상의 제4 원의 원주방향을 따라 서로 일정 간격으로 이격되게 배치된 복수의 제2 강자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제2항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 상기 제1 원의 원주에서 상기 제1 원의 중심을 향하는 방향으로 자화된 M개의 제1 영구자석 및 상기 제1 원의 중심에서 상기 제1 원의 원주를 향하는 방향으로 자화되고 상기 제1 영구자석과 교대로 배치되는 M개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제1 모듈레이터는 상기 M보다 많은 P개의 상기 제1 강자성체를 포함하며,상기 M 및 P는 1 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제3항에 있어서,상기 제2 영구자석 배열은 상기 제2 원의 원주에서 상기 제2 원의 중심을 향하는 방향으로 자화된 N개의 제3 영구자석 및 상기 제2 원의 중심에서 상기 제2 원의 원주를 향하는 방향으로 자화되고 상기 제3 영구자석과 교대로 배치되는 N개의 제4 영구자석을 포함하고,상기 제2 모듈레이터는 상기 N보다 많은 Q개의 상기 제2 강자성체를 포함하며,상기 N 및 Q는 1 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제4항에 있어서, 상기 P와 상기 M의 차는 상기 Q와 상기 N의 차와 동일한 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제2항에 있어서, 상기 제1 강자성체들은 상기 제1 영구자석 배열의 영구자석들과 이격되어 있고, 상기 제2 강자성체들은 상기 제1 강자성체들과 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제6항에 있어서, 상기 제1 강자성체들은 상기 제1 영구자석 배열이 회전하더라도 정지 상태를 유지하고,상기 제2 강자성체들은 상기 제2 영구자석 배열에 결합되어 상기 제2 영구자석 배열과 함께 회전하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 영구자석 배열을 둘러싸도록 배치되어 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 자기장을 내부에 가두는 요오크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제8항에 있어서, 상기 요오크는 상기 제2 영구자석 배열에 결합되어 상기 제2 영구자석 배열과 함께 회전하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제9항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열에 결합되어 상기 제1 영구자석 배열을 회전시키는 제1 회전축; 및상기 제2 영구자석 배열 또는 상기 요오크에 결합되어 상기 제2 영구자석 배열의 회전력을 외부로 전달하는 제2 회전축을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제1 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열의 상부에 배치된 제2 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열과 상기 제2 영구자석 배열 사이에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터; 및상기 제2 영구자석 배열과 상기 제1 모듈레이터 사이에 배치되고, 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 제2 자기장을 변형시켜 상기 제2 자기장에 상기 제1 하모닉 성분들과 자기 결합하는 제2 하모닉 성분을 생성하는 제2 모듈레이터를 포함하는 가감속 장치
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제11항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 가상의 제1 평면에 위치하는 제1 원의 원주 방향을 따라 배열되고 상기 제1 원의 반지름 방향으로 자화된 복수의 영구자석들을 포함하고,상기 제2 영구자석 배열은 상기 제1 평면 상부에 위치하고 상기 제1 평면과 평행한 가상의 제2 평면에 존재하고, 상기 제1 원과 동일한 크기의 반지름을 갖는 가상의 제2 원의 원주 방향을 따라 배열되고 상기 제2 원의 반지름 방향으로 자화된 복수의 영구자석들을 포함하고,상기 제1 모듈레이터는 상기 제1 평면에 평행하고 상기 제1 평면과 상기 제2 평면 사이에 위치하는 가상의 제3 평면 상에 존재하고, 상기 제1 원과 동일한 크기의 반지름을 갖는 가상의 제3 원의 원주방향을 따라 서로 일정 간격으로 이격되게 배치된 복수의 제1 강자성체를 포함하며, 상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 평면에 평행하고 상기 제3 평면과 상기 제2 평면 사이에 위치하는 가상의 제4 평면 상에 존재하고, 상기 제1 원과 동일한 크기의 반지름을 갖는 가상의 제4 원의 원주방향을 따라 서로 일정 간격으로 이격되게 배치된 복수의 제2 강자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제12항에 있어서,상기 제1 영구자석 배열은 상기 제1 평면에 수직한 상부 방향으로 자화된 M개의 제1 영구자석 및 상기 상부 방향과 반대되는 하부 방향으로 자화되고 상기 제1 영구자석과 교대로 배치되는 M개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제1 모듈레이터는 상기 M보다 많은 P개의 상기 제1 강자성체를 포함하며,상기 M 및 P는 1 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제13항에 있어서, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 상부 방향으로 자화된 N개의 제3 영구자석 및 상기 하부 방향으로 자화되고 상기 제3 영구자석과 교대로 배치되는 N개의 제4 영구자석을 포함하고,상기 제2 모듈레이터는 상기 N보다 많은 Q개의 상기 제2 강자성체를 포함하며,상기 N 및 Q는 1 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제13항에 있어서, 상기 P와 상기 M의 차는 상기 Q와 상기 N의 차와 동일한 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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제11항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열의 하부에 결합된 제1 요오크 및 상기 제2 영구자석 배열의 상부에 결합된 제2 요오크를 더 포함하고,상기 제1 및 제2 요오크는 상기 제1 및 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 자기장을 내부에 가둬 자기장 폐회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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가상의 제1 평면 상에서 제1 방향을 따라 배열된 복수개의 영구자석을 포함하는 제1 영구자석 배열;상기 제1 평면에 평행하고 상기 제1 평면 상부에 위치하는 가상의 제2 평면 상에서 상기 제1 방향을 따라 배열된 복수개의 영구자석을 포함하는 제2 영구자석 배열;상기 제1 영구자석 배열과 상기 제2 영구자석 배열 사이에 배치되고, 상기 제1 영구자석 배열에 의해 생성된 제1 자기장을 변형시켜 상기 제1 자기장에 제1 하모닉 성분들을 생성하는 제1 모듈레이터; 상기 제2 영구자석 배열과 상기 제1 모듈레이터 사이에 배치되고, 상기 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 제2 자기장을 변형시켜 상기 제2 자기장에 상기 제1 하모닉 성분들과 자기 결합하는 제2 하모닉 성분을 생성하는 제2 모듈레이터; 및상기 제1 영구자석 배열의 하부에 결합된 제1 요오크 및 상기 제2 영구자석 배열의 상부에 결합된 제2 요오크를 포함하고, 상기 제1 및 제2 영구자석 배열에 의해 생성된 자기장을 내부에 가둬 자기장 폐회로를 구성하는 요오크를 포함하는 가감속 장치
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제17항에 있어서, 상기 제1 영구자석 배열은 상기 제1 평면에 수직한 상부 방향으로 자화된 M개의 제1 영구자석 및 상기 상부 방향과 반대되는 하부 방향으로 자화되고 상기 제1 영구자석과 교대로 배치되는 M개의 제2 영구자석을 포함하고, 상기 제2 영구자석 배열은 상기 상부 방향으로 자화된 N개의 제3 영구자석 및 상기 하부 방향으로 자화되고 상기 제3 영구자석과 교대로 배치되는 N개의 제4 영구자석을 포함하고,상기 제1 모듈레이터는 상기 제1 평면에 평행하고 상기 제1 평면과 상기 제2 평면 사이에 위치하는 가상의 제3 평면 상에서 상기 제1 방향으로 따라 배열된 복수개의 제1 강자성체를 포함하며, 상기 제2 모듈레이터는 상기 제1 평면에 평행하고 상기 제3 평면과 상기 제2 평면 사이에 위치하는 가상의 제4 평면 상에서 상기 제1 방향으로 따라 배열된 복수개의 제2 강자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가감속 장치
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