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더블 폴리 이이피롬(100)에 있어서,전하를 저장하는 전하 주입 영역인 부유 게이트(110)(floating gate);상기 부유 게이트(110)의 상부에 중첩되도록 형성되는 컨트롤 게이트(120)(control gate); 및상기 컨트롤 게이트(120)와 이격되게 형성되며, 상기 부유 게이트(110)와 연결 접합되는 인젝터(130)(injector)를 포함하되,전자의 유입 및 유출되는 방향으로 전계의 세기가 증가되도록 하는 돌출 구조를 갖는 돌출부(111)를 형성하되, 상기 돌출부(111)의 돌출 구조는 터널 전류가 흐르는 곳에서 전계가 증가하고, 쓰기와 소거 동작 시에 요구되는 프로그래밍 전압이 감소하는 “ㄷ”자 형태의 구조로 구성하고,상기 부유 게이트(110)와 인젝터(130)의 결합은,상기 인젝터(130)가 상기 컨트롤 게이트(120)와 동일 층으로 형성되고, 상기 컨트롤 게이트(120)와 중첩된 영역의 외부로 연장된 상기 부유 게이트(110)의 연장부가 상기 인젝터(130)와 중첩되어 있는 상태에서, 상기 부유 게이트(110)의 연장부 말단에 형성된 “ㄷ”자 형태의 돌출부(111)가 상기 인젝터(130)와 중첩된 영역에서 인젝터(130)의 내부에 수용되어 함침되는 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제1항에 있어서, 상기 돌출부(111)는,전계 진행 방향의 돌출 구조가 형성하는 각의 크기에 따라 전계의 크기가 반비례하는 원리를 적용하여 구현하는 구조인 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제1항에 있어서, 상기 돌출부(111)는,상기 “ㄷ”자 형태의 돌출 구조로서, 내부 모서리(112)와 외부 모서리(113)로 구성하는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제7항에 있어서, 상기 부유 게이트(110)의 돌출부(111)는,쓰기 동작의 프로그램에서, 상기 내부 모서리(112)를 통해 상기 인젝터(130)에서 상기 부유 게이트(110) 방향으로 진행되는 전계의 크기가 증가되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제7항에 있어서, 상기 부유 게이트(110)의 돌출부(111)는,소거 동작의 프로그램에서, 상기 외부 모서리(113)를 통해 상기 부유 게이트(110)에서 인젝터(130) 방향으로 진행되는 전계의 크기가 강화되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제1항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,F-N(Fowler-Nordheim) 터널링 방식으로 프로그래밍을 수행하는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제1항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,핫 전자 주입(HEI:Hot Electron Injection) 방식으로 프로그래밍을 수행하는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제1항, 제4항, 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,MOSIS(Metal Oxide Semiconductor Implementation Services)의 1
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제12항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,쓰기 동작 시에 13[V]의 프로그래밍 전압으로 F-N 터널링이 발생되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제13항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,소거 동작 시에 10
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제12항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,상기 부유 게이트(110)의 양측 하부의 반도체 기판(140)에는 불순물로 도핑된 소오스(source) 및 드레인(drain) 영역(141)이 형성되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제12항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,상기 부유 게이트(110)와 반도체 기판(140) 상에 형성된 채널 영역(142) 사이에 게이트 산화막(143)을 중간층으로 더 형성하는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제16항에 있어서, 상기 게이트 산화막(143)은,터널 산화막으로 기능되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제16항에 있어서, 상기 게이트 산화막(143)은,100Å의 막 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제12항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬(100)은,상기 부유 게이트(110)와 컨트롤 게이트(120) 사이에 유전층(144)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제19항에 있어서, 상기 유전층(144)은,층간 절연물지로서 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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제19항에 있어서, 상기 유전층(144)은,층간 절연물질로서 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 막으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 지역전계강화 더블 폴리 이이피롬
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