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(a) 질소가 도핑된 아나타제 결정구조의 이산화티탄늄의 제1 페이스트를 합성하는 단계;(b) FTO 기판에 이산화티타늄의 제2 페이스트로 코팅하는 단계;(c) 상기 코팅된 FTO 기판에 상기 이산화티타늄의 제1 페이스트로 코팅하는 단계;(d) 상기 제2 페이스트로 코팅된 상기 FTO 기판의 표면을 개질하는 단계; 및(e) 상기 개질된 FTO기판에 염료분자를 흡착하여 광전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계는,사염화티탄늄 수용액을 형성하는 단계;상기 수용액에 황산암모늄을 첨가하여 산성 혼합용액을 형성하는 단계;상기 혼합용액에 암모니아수를 첨가하여 교반하는 단계;싱기 교반된 혼합용액을 가열하고 환류시켜 침전물을 생성하는 단계; 및상기 침전물을 건조하고 소성하여 아나타제 결정구조를 갖는 질소가 도핑된 이산화티타늄을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제2항에 있어서,상기 산성 혼합용액에서 염소 이온과 황산 이온의 몰비가 1 : 0
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 사염화티타늄과 암모니아수의 몰비가 1: 3 ~ 9인 것을 특징으로 염료감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제4항에 있어서,상기 제2 페이스트는,상기 질소가 도핑된 이산화티타늄에 터핀올 용매에 에틸셀룰로오스 바인더를 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 광전극 제조방법
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제4항에 있어서,상기 (d) 단계는,상기 제2 페이스트로 코팅된 상기 FTO 기판을 0
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(a) 질소가 도핑된 아나타제 결정구조의 이산화티탄늄의 제1 페이스트를 합성하는 단계;(b) FTO 기판에 이산화티타늄의 제2 페이스트로 코팅하는 단계;(c) 상기 코팅된 FTO 기판에 상기 이산화티타늄의 제1 페이스트로 코팅하는 단계;(d) 상기 제2 페이스트로 코팅된 상기 FTO 기판의 표면을 개질하는 단계; (e) 상기 개질된 FTO기판에 염료분자를 흡착하여 광전극을 형성하는 단계;(f) FTO 기판에 염화백금산 용액을 코팅하여 상대전극을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 광전극 및 상대전극을 실링지로 접합하고, 상기 광전극, 실링지 및 상대전극을 관통하는 홀에 전해질을 주입하여 태양전지를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계는,사염화티탄늄 수용액을 형성하는 단계;상기 수용액에 황산암모늄을 첨가하여 산성 혼합용액을 형성하는 단계;상기 혼합용액에 암모니아수를 첨가하여 교반하는 단계;싱기 교반된 혼합용액을 가열하고 환류시켜 침전물을 생성하는 단계; 및상기 침전물을 건조하고 소성하여 아나타제 결정구조를 갖는 질소가 도핑된 이산화티타늄을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 산성 혼합용액에서 염소 이온과 황산 이온의 몰비가 1 : 0
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 사염화티타늄과 암모니아수의 몰비가 1: 3 ~ 9인 것을 특징으로 염료감응형 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2 페이스트는,상기 질소가 도핑된 이산화티타늄에 터핀올 용매에 에틸셀룰로오스 바인더를 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서,상기 (d) 단계는,상기 제2 페이스트로 코팅된 상기 FTO 기판을 0
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