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볼 가열 압입 시스템으로서,압입될 볼을 가열하기 위한 가열 샤프트(30);상기 가열 샤프트(30) 내의 챔버 온도를 측정하는 온도 측정부(20); 및상기 측정된 챔버 온도에 기초하여 미리 설정된 온도 범위 내에서 상기 챔버 온도가 유지되도록 에어(air) 가열 및 공급량을 조절하는 가열 제어부(10)를 포함하고,상기 가열 제어부(10)는,소정의 어레이로 배열되는 복수의 메모리 셀(MCL)을 포함하는 메모리 셀 어레이(100);상기 메모리 셀 어레이(100)에 저장된 아날로그 신호와 상기 온도 측정부(20)로부터 전달된 입력 신호가 입력되는 절대치 회로(200); 및상기 절대치 회로(200)의 출력값을 제공받는 WTA 회로(300)를 포함하며,상기 메모리 셀(MCL)은 각각,더블 폴리 이이피롬으로 구성되는 셀 트랜지스터; 및상기 셀 트랜지스터의 게이트 전극에 대해 제1 단자가 연결되는 셀 커패시터를 포함하고,상기 메모리 셀 어레이(100)는,행 방향으로 배열되는 메모리 셀(MCL)들 간에, 상기 셀 트랜지스터의 소스 전극은 소스 전극끼리 연결되고, 드레인 전극은 드레인 전극끼리 연결되며, 게이트 전극에 연결되는 상기 제1 단자는 제1 단자끼리 연결되고,열 방향으로 배열되는 메모리 셀(MCL)들 간에, 상기 셀 커패시터의 제1 단자에 반대되는 제2 단자끼리 연결되는 것을 특징으로 하는 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서, 상기 더블 폴리 이이피롬은,전자의 유출입 방향을 따라 전계의 세기가 증가하도록 일단이 연장되는 부유 게이트(110);상기 부유 게이트(110) 상에 중첩하는 컨트롤 게이트(120); 및상기 컨트롤 게이트(120)에 이격되고, 상기 부유 게이트(110)의 연장된 단부가 삽입되어 상기 부유 게이트(110)에 전기적으로 연결되는 인젝터(130)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서,상기 가열 제어부(10)로부터 에어 공급 제어 신호를 수신하는 에어 공급 조절부(50); 및상기 가열 제어부(10)로부터 수신된 가열 온도에 기초하여 상기 에어 공급 조절부(50)로부터 제공되는 에어를 가열하는 에어 가열부(40)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이(100)는,상기 메모리 셀(MCL)이 2×2 어레이로 배열되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이(100)에 포함된 어느 하나의 메모리 셀(MCL)에 쓰기 동작이 수행되는 경우, 상기 메모리 셀(MCL)의 열에는 제1 전압이 인가되고, 상기 메모리 셀(MCL)의 행에는 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압이 인가되며, 상기 메모리 셀 어레이(100)의 나머지 열에는 상기 제2 전압이 인가되고, 상기 메모리 셀 어레이(100)의 나머지 행은 접지되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이(100)에 포함된 어느 하나의 메모리 셀(MCL)에 소거 동작이 수행되는 경우, 상기 메모리 셀(MCL)의 열은 접지되고, 상기 메모리 셀(MCL)의 행에는 제2 전압이 인가되며, 상기 메모리 셀 어레이(100)의 나머지 열 및 행에는 각각, 상기 제2 전압보다 큰 제1 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제5항 또는 제6항에 있어서,상기 제1 전압은 상기 제2 전압의 2배인 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서, 상기 가열 제어부(10)는,상기 온도 측정부(20)로부터 제공되는 신호를 레치하는 샘플/홀드 회로(400)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서,상기 절대치 회로(200)의 출력값은 상기 아날로그 신호 및 상기 입력 신호 간의 차이의 절대값인 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제9항에 있어서, 상기 WTA 회로(300)는,상기 메모리 셀 어레이(100) 중 상기 아날로그 신호 및 입력 신호 간의 차이가 가장 작은 메모리 셀(MCL)의 출력 값을 논리 1로 출력시키고, 나머지 메모리 셀(MCL)의 출력 값을 논리 0으로 출력시키는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서, 상기 절대치 회로(200)는,상기 메모리 셀 어레이(100)의 메모리 셀들에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서, 상기 절대치 회로(200)는,차동 증폭기(DA);상기 차동 증폭기(DA)의 일 단자에 연결되는 제1 MOS 트랜지스터(MN1);상기 제1 MOS 트랜지스터(MN1)에 연결되는 제1 커패시터(C1);상기 차동 증폭기(DA)의 상기 일 단자에 상기 제1 MOS 트랜지스터(MN1)와 병렬로 연결되는 제2 MOS 트랜지스터(MN2); 및상기 제2 MOS 트랜지스터(MN2)에 연결되는 제2 커패시터(C2)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제12항에 있어서,상기 차동 증폭기(DA)의 출력 단자는, 상기 WTA 회로(300)의 입력 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제12항에 있어서,상기 차동 증폭기(DA)의 출력값은, 상기 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)의 전압 차이의 절대값에 비례하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제1항에 있어서, 상기 WTA 회로(300)는,상기 메모리 셀 어레이(100)의 각 메모리 셀(MCL)에 연결된 상기 절대치 회로(200)에 연결되는 부분 회로들(PC); 및상기 부분 회로들(PC)의 출력 단자에 공통으로 연결되는 제3 MOS 트랜지스터(MN3)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제15항에 있어서, 각각의 상기 부분 회로(PC)는,상기 절대치 회로(200)의 출력 단자에 게이트 전극이 연결되는 제4 MOS 트랜지스터(MN4);상기 제4 MOS 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 제5 MOS 트랜지스터(MN5); 및상기 제4 MOS 트랜지스터(MN4)의 드레인 전극에 연결되는 제6 MOS 트랜지스터(MN6) 및 제7 MOS 트랜지스터(MP1)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제16항에 있어서,상기 제4 MOS 트랜지스터(MN4)의 드레인 전극은 상기 제6 MOS 트랜지스터(MN6)의 게이트 전극 및 상기 제7 MOS 트랜지스터(MP1)의 드레인 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제17항에 있어서,상기 제6 MOS 트랜지스터(MN6)의 드레인 전극은 상기 제3 MOS 트랜지스터(MN3)의 소스 전극 및 상기 제5 MOS 트랜지스터(MN5)의 게이트 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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제17항에 있어서,상기 제7 MOS 트랜지스터(MP1)의 게이트 전극에 대하여, 상기 메모리 셀 어레이(100) 각각에서 동일한 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는, 아날로그 메모리를 포함하는 온도 조절 장치를 이용한 볼 가열 압입 시스템
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