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유리 재흐름 공정을 이용하고 실리콘 비아 전극을 포함하는 맥진용 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015207745
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 맥진용 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법이 개시된다. 본 실시예에 따른 맥진용 정전용량형 MEMS 압력 센서는 인체의 피부에 직접적으로 접촉하여 압맥파를 측정함으로써 맥진이 가능하며, 내구성이 향상된다.
Int. CL A61B 5/02 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01)
CPC B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120048591 (2012.05.08)
출원인 한국 한의학 연구원
등록번호/일자 10-1477859-0000 (2014.12.23)
공개번호/일자 10-2013-0125093 (2013.11.18) 문서열기
공고번호/일자 (20141230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국 한의학 연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백창욱 대한민국 서울 서초구
2 김준구 대한민국 서울 관악구
3 김재욱 대한민국 대전 유성구
4 전영주 대한민국 대전 유성구
5 김종열 대한민국 대전 유성구
6 이시우 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국 한의학 연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0366671-06
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0369093-30
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-0024945-61
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1020826-64
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1020173-58
6 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.11.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.11.05 수리 (Accepted) 9-1-2014-0085696-01
8 등록결정서
Decision to grant
2014.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0861068-22
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번호 청구항
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제1 면에 제1 절연층이 형성된 제1 실리콘 기판을 마련하는 단계;제1 면에 제2 절연층이 형성된 제2 실리콘 기판을 마련하는 단계;상기 제2 절연층을 패터닝하여 상기 제2 실리콘 기판의 제1 면 상에 센서 영역에 대응하여 공동부를 형성하는 단계;상기 제1 실리콘 기판의 상기 제1 면과, 상기 제2 실리콘 기판의 상기 제1 면이 마주하도록 접합하는 단계; 상기 제2 실리콘 기판의 제2면을 패터닝하여 복수 개의 실리콘 비아 전극을 형성하는 단계;상기 제2 실리콘 기판의 제2 면 상에 붕소가 함유된 유리 기판을 접합하는 단계;상기 유리 기판의 열처리를 통해 상기 복수 개의 실리콘 비아 전극의 주변 영역을 충진시키는 단계;상기 유리 기판을 포함한 상기 제2 실리콘 기판을 연마하고, 형성될 센서 박막에 대응하는 두께로 상기 제1 실리콘 기판의 제2 면을 연마하는 단계;상기 제2 실리콘 기판의 제2 면을 통해 노출된 상기 복수 개의 실리콘 비아 전극에 전극층을 형성하는 단계; 상기 센서 영역을 제외하여 상기 제1 실리콘 기판, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 식각함으로써 센서 박막을 형성하고, 상기 제2 실리콘 기판의 제1 면을 통해 상기 복수 개의 실리콘 비아 전극 중 적어도 하나의 실리콘 비아 전극을 노출시키는 단계; 및상기 제2 실리콘 기판의 제1 면을 통해 노출된 적어도 하나의 실리콘 비아 전극에서 상기 센서 박막의 일 영역까지 연장된 센서 전극을 형성하는 단계를 포함하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 실리콘 기판의 제1 면과 상기 센서 박막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계;상기 실리콘 산화막을 패터닝하여 상기 제2 실리콘 기판의 제1 면을 통해 상기 복수 개의 실리콘 비아 전극을 노출시키는 단계; 및 상기 실리콘 산화막 및 상기 노출된 복수 개의 실리콘 비아 전극 상에 정전기 차폐를 위한 차폐 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 공동부를 형성하는 단계는,상기 공동부의 적어도 일 측에 공기가 드나들 수 있는 통로가 형성되도록 상기 제2 절연층을 패터닝하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 실리콘 기판의 상기 제1 면과, 상기 제2 실리콘 기판의 상기 제1 면이 마주하도록 접합하는 단계는,75℃ 내지 90℃의 온도를 갖는 RCA 세정 용액을 이용하여 상기 제1 실리콘 기판 및 상기 제2 실리콘 기판을 세정하는 단계; 및상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 각각의 표면을 산소 플라즈마 처리하는 단계; 및상기 제1 실리콘 기판의 제1면과 상기 제2 실리콘 기판의 제1면을 접합시켜 270℃ 내지 330℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수 개의 실리콘 비아 전극을 형성하는 단계는, 상기 제2 실리콘 기판의 제2 면 상에 알루미늄막을 증착하는 단계;리프트 오프 방법으로 상기 알루미늄막을 패터닝하여 식각 마스크를 형성하는 단계;상기 식각 마스크를 통해 노출된 상기 제2 실리콘 기판의 제2 면을 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 방법으로 식각하여 상기 복수 개의 실리콘 비아 전극을 형성하는 단계; 및SPM 세정 용액을 이용하여 상기 식각 마스크를 세정하여 상기 제2 실리콘 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는, 상기 제2 실리콘 기판의 제2 면 상에 알루미늄막을 증착하는 단계; 및리프트 오프 방법으로 상기 알루미늄막을 패터닝하는 단계를 포함하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 실리콘 기판의 제1 면을 통해 상기 복수 개의 실리콘 비아 전극을 노출시키는 단계는, 상기 제1 실리콘 기판의 제2 면 상에서 상기 센서 영역을 제외한 영역을 노출시키는 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 폴리머 패턴을 통해 노출된 상기 제1 실리콘 기판을 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 방법으로 식각하는 단계; 및상기 제1 실리콘 기판이 식각된 영역을 통해 노출된 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 식각하는 단계를 포함하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 센서 전극을 형성하는 단계는, 상기 제2 실리콘 기판의 제1 면을 통해 노출된 적어도 하나의 실리콘 비아 전극에서 상기 센서 박막의 일 영역까지 스퍼터링 방법으로 금(Au)을 증착하는 정전용량형 MEMS 압력 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.