| 1 |
1
탄소나노튜브를 소수성 고분자와 혼합한 혼합용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합용액을 분사기에 투입하여 커버글래스에 분사하는 단계를 포함하는 초소수성 표면 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 산 처리, 계면활성제 적용, 기계적 분산, 표면기능화 분산 중 하나의 방법을 통해 분산이 용이하게 처리하는 단계가 선행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 산 처리 방법은, 초음파 분해기를 이용하여 소정 시간 동안 초음파 처리를 수행하는 단계와; 상기 초음파 처리 이후 상온에서 상기 아세톤을 증발시키는 단계와;상기 아세톤이 증발된 이후 남아있는 탄소나노튜브를 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 소수성 고분자는 폴리스틸렌(PS), 에틸렌비닐아세테이트코폴리머(EVA), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 테프론(PTFE) 중 하나이고, 상기 혼합 용액을 제조하는 단계에서 테트라하이드로푸란(THF) 용매에 상기 산 처리된 탄소나노튜브와 상기 소수성 고분자를 혼합하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 분사 단계는는 상기 혼합용액을 상기 분사기에 투입하는 즉시 분사하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 소수성 고분자의 혼합비율은 총량 대비 1~4wt%인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 분사 시간이 소정 시간 미만일 경우, 상기 소수성 고분자의 혼합비율은 총량 대비 1~2wt%인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면 제조방법
|
