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태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 다결정 실리콘 웨이퍼

  • 기술번호 : KST2015208056
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것으로, 다결정 실리콘 원재료를 제공하는 단계; 상기 다결정 실리콘 원재료를 수직방향을 따른 실리콘 잉곳으로 성장시키는 단계; 상기 다결정 실리콘 잉곳을 슬라이싱하는 단계를 포함하고, 상기 슬라이싱 단계는 상기 다결정 실리콘 잉곳을 형성하는 입자의 성장 방향에 대해 평행한 방향으로 수행된다. 다결정 실리콘 잉곳에 대한 슬라이싱 공정이 입자의 성장 방향에 평행하게 진행됨에 따라 슬라이싱된 다결정 실리콘 웨이퍼 상에서 차지되는 입자 경계의 면적이, 종래의 입자 성장 방향에 수직하게 슬라이싱이 진행되는 다결정 실리콘 웨이퍼보다 감소되고 따라서 입자 경계로 인해 발생되던 광전변환 효율이 감소되던 문제점이 해결될 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C01B 33/02 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120060832 (2012.06.07)
출원인 원광대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0137339 (2013.12.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 원광대학교산학협력단 대한민국 전라북도 익산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김승준 대한민국 전라북도 익산시
2 이충훈 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0452365-80
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0119610-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027114-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0628849-85
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1000613-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000035-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003340-96
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0066958-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5117489-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075701-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법에 있어서,다결정 실리콘 원재료를 제공하는 단계;상기 다결정 실리콘 원재료의 입자 성장을 수직방향을 따른 주상 형태로 성장시켜 다결정 실리콘 잉곳을 형성하는 단계; 및상기 다결정 실리콘 잉곳을 슬라이싱하는 단계를 포함하고,상기 슬라이싱 단계는 상기 다결정 실리콘 잉곳을 형성하는 입자의 성장 방향에 대해 평행한 방향으로 수행되는 되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 슬라이싱 단계는 멀티 와이어 쏘우 또는 익시머 레이저를 이용한 방식에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 슬라이싱 단계 이후 슬라이스된 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면에 잔존하는 물질을 세정하기 위해 워싱 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 워싱 단계 이후 웨이퍼의 에지에서 발생할 수 있는 칩핑이나 브로큰을 방지하기 위한 에지를 연마하는 에지 그라인딩 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
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제1항의 제조방법으로 제조된 다결정 실리콘 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식 경제부 원광대학교 산학 협력단 지역혁신센터 조성사업 차세대 방사선 산업기술 지역혁신센터