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광 결정 발광소자

  • 기술번호 : KST2015208087
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 결정 발광 소자는 기판 상 또는 상부에 형성된 제 1 및 제 2 반도체 층들 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 층 상 또는 상부에 형성되는 Ni층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/10 (2010.01) H01L 33/30 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130076274 (2013.07.01)
출원인 원광대학교산학협력단, 광전자 주식회사
등록번호/일자 10-1477048-0000 (2014.12.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.01)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 원광대학교산학협력단 대한민국 전라북도 익산시
2 광전자 주식회사 대한민국 전라북도 익산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이충훈 대한민국 서울특별시 도봉구
2 이형주 대한민국 전라북도 익산

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 원광대학교산학협력단 전라북도 익산시
2 광전자 주식회사 전라북도 익산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0586736-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000035-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003340-96
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0023648-88
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0406309-36
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0759660-80
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0868662-05
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0868651-03
10 등록결정서
Decision to grant
2014.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0858805-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5117489-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075701-65
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140319-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N-형 GaAs 기판, 상기 N-형 GaAs 기판 상부에 형성된 N-형 반도체층, 및 상기 N-형 반도체층 상부에 형성되는 P-형 반도체층을 포함하고, 상기 N-형 반도체층과 상기 P-형 반도체층 사이에 MQW(Multiple Quantum Well: 다 중양자 우물)층이 형성되어 있는 광결정 발광소자에 있어서,상기 N-형 반도체층은, 상기 N-형 GaAs 기판상에 형성되는 DBR(Distributed Bragg Reflector)층; 및상기 DBR 층 상에 형성되는 N형 구속 층을 포함하고,상기 P-형 반도체층은, 상기 MQW 층 상에 형성되는 P형 구속 층; 및상기 P형 구속 층 상에 형성되는 P형 GaP층을 포함하고,상기 MQW층으로부터 출력되는 광이 매질을 통해 공기중으로 출력될 때, 매질에 따른 전반사를 방지하도록, 상기 P형 GaP층의 상부에는 니켈 입자들로 이루어진 Ni 입자층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광결정 발광소자
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 Ni 입자층은 DC 플라즈마를 이용한 NH3 플라즈마 식각을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 광결정 발광소자
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제 3 항에 있어서,상기 Ni 입자층 상부에는 상부 전극이 형성되고, 상기 N-형 GaAs 기판 하부에 하부 전극이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 광결정 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.