맞춤기술찾기

이전대상기술

터치패널 형성방법

  • 기술번호 : KST2015208135
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 잉크젯 방법과 디스펜싱을 이용하여 터치스크린의 도트 스페이서 및 전극라인을 형성하는 방법에 관한 것으로, 상부전극라인 및 상부투명도전층이 형성된 상부기판과; 하부전극라인 및 하부투명도전층이 형성된 하부기판과; 상기 터치패널의 터치영역 내에 형성되는 다수의 도트 스페이서들과; 상기 터치패널의 터치영역 내에서 가장자리에 형성되는 X, Y 전극라인들을 구비하는 터치패널을 형성하는 방법으로서, 잉크 제트의 헤드부분을 도트 스페이서가 형성될 위치에 직접 정렬하는 단계; 마스크를 사용하지 않고 유전체 페이스트를 스페이서가 형성될 위치에 상기 잉크 제트의 헤드를 통해 도트(dot) 형태로 직접 뿌려주는 단계; 및 상기 도트 스페이서를 소성하는 단계; 를 포함하며; 상기 모든 스페이서들을 상기와 동일한 방법으로 반복하여 마스크 없이 터치패널의 도트 스페이서들이 형성될 위치에 직접 형성시키는 것을 특징으로 한다. 따라서, 투명도전층의 크랙이나 손상을 방지할 수 있어 터치스크린의 신뢰성을 높일 수 있으며, 필요한 곳에만 직접적으로 패터닝하므로 페이스트 재료의 손실을 최소화시킬 수 있다.터치패널, 도트 스페이서, 전극라인, 잉크젯, 디스펜싱
Int. CL G06F 1/16 (2006.01) G06F 3/041 (2006.01)
CPC G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01)
출원번호/일자 1020070064702 (2007.06.28)
출원인 가천대학교 산학협력단, 아이티엠 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0000845 (2009.01.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.28)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구
2 아이티엠 주식회사 대한민국 인천광역시 남동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권상직 대한민국 서울시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)(특허법인인터브레인)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0474530-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0029598-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0590405-30
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0044687-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5110276-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2010-5214862-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2011-5196061-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5237983-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049854-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2012-0408425-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073562-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002347-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부전극라인 및 상부투명도전층이 형성된 상부기판과; 하부전극라인 및 하부투명도전층이 형성된 하부기판과; 상기 터치패널의 터치영역 내에 형성되는 다수의 도트 스페이서들과; 상기 터치패널의 터치영역 내에서 가장자리에 형성되는 X, Y 전극라인들을 구비하는 터치패널을 형성하는 방법으로서,잉크 제트의 헤드부분을 도트 스페이서가 형성될 위치에 직접 정렬하는 단계;마스크를 사용하지 않고 유전체 페이스트를 스페이서가 형성될 위치에 상기 잉크 제트의 헤드를 통해 도트(dot) 형태로 직접 뿌려주는 단계; 및상기 도트 스페이서를 소성하는 단계; 를 포함하며,상기 모든 스페이서들을 상기와 동일한 방법으로 반복하여 마스크 없이 터치패널의 도트 스페이서들이 형성될 위치에 직접 형성시키는 것을 특징으로 하는 터치패널의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 터치영역과 터치영역 가장자리에서 터치패널의 X, Y 전극라인을 형성하는 공정을 더 포함하되, 상기 전극라인을 형성하는 공정은, 디스펜서의 마이크로 노즐(nozzle)을 전극라인이 형성될 시작위치에 직접 정렬하는 단계; 및마스크를 사용하지 않고 전극 페이스트를 상기 디스펜서의 마이크로 노즐을 통해 라인(line) 형태로 연속하여 이동하면서 직접 뿌려주는 단계; 를 포함하며;상기 X, Y를 구성하는 모든 전극라인들을 상기와 동일한 방법으로 반복하여 마스크 없이 터치패널의 전극라인들이 형성될 위치에 직접 형성시키는 것을 특징으로 하는 터치패널의 형성방법
3 3
제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도트 스페이서의 높이는 10∼20㎛정도인 것을 특징으로 하는 터치패널의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.