맞춤기술찾기

이전대상기술

다이아몬드 시드 상에 이온 주입 공정을 이용하여 전계방출 특성을 향상시킨 다이아몬드/비정질 탄소 박막의 성장

  • 기술번호 : KST2015208150
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 웨이퍼 혹은 ITO 글라스 위에 ultrasonic bath 를 이용하여 다이아몬드 시드를 성장시키는 단계, 상기 다이아몬드 시드 위 충분한 불순물 및 도판트를 주입할 수 있는 농도 및 에너지를 가진 이온을 주입하는 단계, 이온이 주입된 후 다이아몬드 시드를 그레인으로 성장시키는 단계를 포함하여 전계 방출 특성이 향상된 패턴 형태의 다이아몬드/비정질 탄소 전계 방출 소자를 형성한다. 다이아몬드 시드, 이온 주입, 전계 방출 특성
Int. CL C23C 16/26 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01)
CPC C23C 16/4417(2013.01) C23C 16/4417(2013.01) C23C 16/4417(2013.01) C23C 16/4417(2013.01)
출원번호/일자 1020080014732 (2008.02.19)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0089518 (2009.08.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.19)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권상직 대한민국 서울시 강남구
2 조의식 대한민국 서울 강남구
3 임승혁 대한민국 서울 양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0121704-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0018552-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0013936-98
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0114831-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2011-5196061-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5237983-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049854-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2012-0408425-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073562-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 혹은 ITO 박막이 덮인 유리 기판 위 형성된 다이아몬드 시드 위에 이온을 주입한 후 다이아몬드/비정질 탄소 박막을 성장시키는, 다이아몬드 박막 내 원하는 양만큼 불순물을 주입하는 방법
2 2
청구항 1의 방법에서 이온 주입시 새도우 마스크 등의 마스크를 사용, 불순물이 주입된 패턴을 형성하는 방법
3 3
청구항 1, 2의 방법을 이용하여 만든 다이아몬드/비정질 탄소 박막을 이용하여 디스플레이나 센서 등의 전계 방출 소자를 만드는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.