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레이저 패터닝을 이용한 투명 박막 트랜지스터의 제조

  • 기술번호 : KST2015208171
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 박막 트랜지스터(transparent thin film transistor)를 제조하는 공정이 제공된다. 본 발명의 제조 공정은 산화물 층 위에 투명 전도체 층이 형성되는 투명 박막 트랜지스터에서, 투명 전도체 층에 대한 패터닝(patterning) 시 레이저(laser)를 이용하며, 이 과정에서 식각되는 투명 전도체 층 아래의 산화물(oxide) 층이 레이저에 의하여 어닐링(annealing)되고 결정화된다. 산화물 층의 어닐링 및 결정화 과정은 투명 전도체 층에 대한 식각이 진행되는 동안 함께 진행될 수도 있고, 투명 전도체 층이 모두 식각된 후 노출된 산화물 층에 대하여 진행될 수도 있다. 투명 전도막, 투명 전도체 층, 투명 박막 트랜지스터, 레이저 패터닝, 산화물 박막 트랜지스터, 어닐링
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/268 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090089149 (2009.09.21)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1026213-0000 (2011.03.24)
공개번호/일자 10-2011-0031759 (2011.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조의식 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 권상직 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강태훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)
2 나선균 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)
3 방영석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동, 황산빌딩)(인아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0579022-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005334-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0095932-40
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0171686-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0171672-99
7 등록결정서
Decision to grant
2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0150980-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2011-5196061-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5237983-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049854-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2012-0408425-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073562-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
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번호 청구항
1 1
산화물 층 위에 전도체 층이 형성되는 전자 소자의 제조 방법에 있어서, 레이저를 상기 전도체 층에 주사하여 상기 전도체 층을 식각하고 패터닝하는 단계; 상기 주사되는 레이저를 이용하여 상기 산화물 층을 어닐링하고 결정화하는 단계 를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 주사되는 레이저를 이용하여 상기 산화물 층을 어닐링하고 결정화하는 단계는 상기 레이저를 상기 전도체 층에 주사하여 상기 전도체 층을 식각하고 패터닝하는 단계에 의하여 상기 전도체 층의 적어도 일부가 식각되고 상기 산화물 층의 적어도 일부가 노출된 후에, 상기 노출된 상기 적어도 일부의 산화물 층에 대하여 수행되는 전자 소자의 제조 방법
3 3
산화물 층 위에 전도체 층이 형성되는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 레이저를 상기 전도체 층에 주사하여 상기 전도체 층을 식각하고 패터닝하는 단계; 및 상기 주사되는 레이저를 이용하여 상기 산화물 층을 어닐링하고 결정화하여, 상기 결정화된 산화물 층을 반송자가 통과하는 채널 층으로 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
유리 기판 또는 접을 수 있는 플렉서블한 기판 위에 제조된 유기이엘 소자 또는 액정 디스플레이 소자의 스위칭 소자로 이용되거나 구동 소자로 이용되는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 산화물 층 위에 위치하는 전도체 층을 포함하고, 레이저를 상기 전도체 층에 주사하여 상기 전도체 층을 식각하고 패터닝하는 단계; 및 상기 주사되는 레이저를 이용하여 상기 산화물 층을 어닐링하고 결정화하여, 상기 결정화된 산화물 층을 반송자가 통과하는 채널 층으로 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
다결정질 상태의 채널 영역과 비정질 상태의 비채널 영역을 포함하는 산화물 층; 및 상기 산화물 층의 상기 비채널 영역 위에 형성되는 전도체 층 을 포함하고, 상기 산화물 층은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 유기물 기판 위에 적층되어 형성되고, 상기 채널 영역은 레이저를 이용한 상기 전도체 층의 패터닝 과정 동안 또는 상기 전도체 층이 패터닝되고 난 후 상기 레이저에 의하여 어닐링되고 결정화된 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.