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탄성기질의 표면 상에서의 나노구조의 조절성 제조

  • 기술번호 : KST2015208172
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 탄성기질의 표면에 산화막을 형성시키는 단계; (b) 산화막이 형성된 탄성기질을 원통형의 지지체 상에 구부려(bending) 상기 기질을 스트레칭(stretching)시키는 단계; 및 (c) 상기 스트레칭된 탄성기질을 원통형의 지지체로부터 해리(releasing)시켜 상기 탄성기질의 표면에 사인파형의 나노구조표면을 형성시키는 단계를 포함하는 탄성기질의 표면에 사인파형의 나노구조표면을 형성시키는 방법, 그리고 탄성기질의 표면에 형성된 사인파형의 나노구조표면의 파장 또는 폭을 조절하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 사인파형의 나노구조 패턴의 어레이를 탄성기질 상에 형성시키는 데 매우 유용하며, 보다 간편한 방법으로 보다 신속하게 형성시킬 수 있다. 본 발명의 방법에 따르면, 사인파형의 나노구조 패턴의 특성(파장 및 폭)을 조절할 수 있다.탄성기질, 나노구조, 사인파, 파장, 폭, 조절
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020090041696 (2009.05.13)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1120133-0000 (2012.02.17)
공개번호/일자 10-2010-0122682 (2010.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장창현 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양부현 대한민국 서울특별시 송파구 오금로 **, 태원빌딩 **층, 특허팀(주식회사씨젠)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0286966-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0289718-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0101466-62
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0274329-81
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0383272-01
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0471698-23
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0484348-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0484356-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2011-5196061-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5237983-95
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701069-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049854-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2012-0408425-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073562-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 탄성기질의 표면에 사인파형의 나노구조표면을 형성시키는 방법:(a) 탄성기질로서 실리콘 중합체 또는 공중합체의 표면에 산화막을 형성시키는 단계; (b) 산화막이 형성된 탄성기질을 원통형의 지지체 상에 구부려(bending) 상기 기질을 스트레칭(stretching)시키는 단계; 및 (c) 상기 스트레칭된 탄성기질을 원통형의 지지체로부터 해리(releasing)시켜 상기 탄성기질의 표면에 사인파형의 나노구조표면을 형성시키는 단계
2 2
(a) 탄성기질로서 실리콘 중합체 또는 공중합체의 표면에 산화막을 형성시키는 단계; (b) 산화막이 형성된 탄성기질을 원통형의 지지체 상에 구부려(bending) 상기 기질을 스트레칭(stretching)시키는 단계; 및 (c) 상기 스트레칭된 탄성기질을 원통형의 지지체로부터 해리(releasing)시켜 상기 탄성기질의 표면에 사인파형의 나노구조표면을 형성시키는 단계를 포함하는 탄성기질의 표면에 사인파형의 나노구조표면을 형성시키는 방법에 있어서, 상기 산화막의 두께, 원통형 지지체의 지름, 스트레칭 시간, 탄성기질의 두께 또는 스트레칭 온도를 조절하여, 상기 탄성기질의 표면에 형성된 사인파형의 나노구조표면의 파장 또는 폭을 조절하는 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탄성기질은 폴리다이메틸실록산(PDMS)인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 산화막은 산소 플라즈마를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 방법은 산화막의 두께를 증가시켜 사인파형의 나노구조표면의 파장 및 폭을 증가시키거나, 또는 산화막의 두께를 감소시켜 사인파형의 나노구조표면의 파장 및 폭을 감소시키는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 방법은 원통형 지지체의 지름을 증가시켜 사인파형의 나노구조표면의 파장을 증가시키고 폭을 감소시키거나, 또는 원통형 지지체의 지름을 감소시켜 사인파형의 나노구조표면의 파장을 감소시키고 폭을 증가시키는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 2 항에 있어서, 상기 방법은 탄성기질을 구부리는 시간을 증가시켜 파장은 일정하게 하면서 사인파형의 나노구조표면의 폭을 증가시키거나, 또는 탄성기질을 구부리는 시간을 감소시켜 파장은 일정하게 하면서 사인파형의 나노구조표면의 폭을 감소시키는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 2 항에 있어서, 상기 방법은 탄성기질의 두께를 증가시켜 사인파형의 나노구조표면의 파장을 감소시키고 폭을 증가시키거나, 또는 탄성기질의 두께를 감소시켜 사인파형의 나노구조표면의 파장을 증가시키고 폭을 감소시키는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 2 항에 있어서, 상기 방법은 탄성기질을 구부릴 때의 온도를 증가시켜 폭은 일정하게 하면서 사인파형의 나노구조표면의 파장을 감소시키거나, 또는 탄성기질을 구부릴 때의 온도를 감소시켜 폭은 일정하게 하면서 사인파형의 나노구조표면의 파장을 증가시키는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 경기도청 경원대학교 산학협력단 경기도지역협력연구센터사업 (GRRC) 나노 크리스탈 기반 모바일 생화학센서기술개발