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핵산 증폭 장치, 그 제조 방법 및 이를 이용하는 핵산 증폭방법

  • 기술번호 : KST2015208274
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핵산 증폭 장치, 그 제조 방법 및 이를 이용하는 핵산을 증폭하는 핵산 증폭 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 핵산 증폭 장치, 그 제조 방법 및 핵산을 증폭하는 핵산 증폭 방법은 경사면을 가지는 챔버에 의해 단일 히터의 사용으로도 챔버의 구간별 상이한 온도의 분포를 가질 수 있으며, 따라서, 핵산 증폭 반응에 필요한 승온 및 감온 시간을 단축할 수 있으므로, 온도 사이클을 진행하는 데에 있어서 종래 기술 대비 핵산 증폭의 처리량(throughput)을 향상시킬 수 있다.
Int. CL C12Q 1/68 (2006.01) C12M 1/38 (2006.01)
CPC B01L 7/52(2013.01) B01L 7/52(2013.01) B01L 7/52(2013.01) B01L 7/52(2013.01) B01L 7/52(2013.01) B01L 7/52(2013.01)
출원번호/일자 1020120054603 (2012.05.23)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1398956-0000 (2014.05.19)
공개번호/일자 10-2013-0130936 (2013.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.23)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내윤 대한민국 경기도 성남시 수정구
2 오문명 중국 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0411567-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0066314-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0706663-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0958971-07
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0958970-51
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0118766-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
히터 상에 형성된 하부 기판;상기 하부 기판 상에 형성된 경사면을 가지는 챔버; 및상기 경사면 상에 형성된 상부 기판;을 포함하고,상기 챔버는, 상기 경사면의 경사 방향을 따라 일방향 및 타방향으로 연결 형성되는 채널을 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 채널은, 상기 경사 방향을 따라 평행하게 형성된 직선 구간들과, 상기 채널이 하나의 경로가 되도록 상기 직선 구간들을 연결하는 곡선 구간들을 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 채널은, 지그재그 형상인 것인, 핵산 증폭 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 채널은, 경사면을 따라 오르고 내리고를 반복하는 형상인 것인, 핵산 증폭 장치
5 5
제 1 항에 있어서,주입부 및 배출부를 더 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 주입부, 배출부 또는 이 둘에 연결되는 펌프를 더 포함하는, 핵산 증폭 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 하부 기판과 상기 경사면이 이루는 각도는 10° 내지 89°인, 핵산 증폭 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 채널의 경사 방향 길이는 10 mm 내지 40 mm인 것인, 핵산 증폭 장치
9 9
제 1 항에 있어서,상기 채널은, 상기 경사면을 따라 오르고 내리는 일 단위 경로가 1회 내지 50회 반복되는 것인, 핵산 증폭 장치
10 10
제 1 항에 있어서,상기 채널의 단면적은, 0
11 11
제 1 항에 있어서,상기 챔버 및 상기 상부 기판은, 각각 독립적으로, 고분자를 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
12 12
제 11 항에 있어서,상기 고분자는, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS), 폴리-메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP), 폴리스티렌(polystyrene; PS), 사이클로올레핀 코폴리머(cycloolefin copolymer; COC), 폴리아미드(polyamide; PA), 폴리페닐렌 에테르(polyphenylene ether; PPE), 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene; POM), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone; PEEK), 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride; PVC) 및 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutyleneterephthalate; PBT)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
13 13
제 1 항에 있어서,상기 하부 기판은, 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 금속(metal) 및 다이아몬드(diamond)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
14 14
제 5 항에 있어서,상기 상부 기판 상에, 상기 채널과 상기 주입부 사이, 상기 채널과 상기 배출부 사이 또는 그 둘 각각에, 상기 경사 방향에 수직한 방향으로 형성된 안정화 경로를 더 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치
15 15
히터 상에 하부 기판을 형성하는 단계;상기 하부 기판 상에 경사면을 가지는 챔버를 형성하는 단계; 및상기 경사면 상에 상부 기판을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 챔버는, 상기 경사면의 경사 방향을 따라 일방향 및 타방향으로 연결 형성되는 채널을 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 채널은, 상기 경사 방향을 따라 평행하게 형성된 직선 구간들과, 상기 채널이 하나의 경로가 되도록 상기 직선 구간들을 연결하는 곡선 구간들을 포함하는 것인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서,상기 채널은, 지그재그 형상인 것인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
18 18
제 15 항에 있어서,상기 채널은, 경사면을 따라 오르고 내리고를 반복하는 형상인 것인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
19 19
제 15 항에 있어서,상기 채널은,내부 하면에 상기 채널과 동일한 형상의 양각을 포함하는 틀을, 상기 내부 하면이 상기 경사면의 경사각을 이루도록 상기 틀을 고정한 상태로 유동성 고분자 전구체를 주입하는 단계;상기 주입된 유동성 고분자 전구체를 경화시키는 단계; 및상기 틀로부터 경화된 고분자를 추출하는 단계;를 포함하여 형성하는 것인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
20 20
제 15 항에 있어서,상기 채널은, 포토리소그래피 공정 또는 식각 공정을 이용하여 형성된 것인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
21 21
제 15 항에 있어서,상기 상부 기판 상에, 주입부 및 배출부를 형성하는 단계;를 더 포함하는, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 주입부, 배출부 또는 이 둘에 연결되도록 펌프를 형성하는 단계;를 더 포함하는, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 상부 기판 상에, 상기 채널과 상기 주입부 사이, 상기 채널과 상기 배출부 사이 또는 그 둘 각각에, 상기 경사 방향에 수직한 방향으로 형성된 안정화 경로를 형성하는 단계를 더 포함하는, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
24 24
제 15 항에 있어서,상기 하부 기판과 상기 경사면이 이루는 각도는 10° 내지 89°인, 핵산 증폭 장치의 제조 방법
25 25
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항의 핵산 증폭 장치를 이용하여, 핵산을 증폭하는 핵산 증폭 방법
26 26
제 25 항에 있어서, 상기 채널 내부의 온도는, 상기 경사면의 하단부로부터 상기 경사면의 상단부까지 97 ℃로부터 50 ℃로 분포되는 것인, 핵산을 증폭하는 핵산 증폭 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 (NRF) 가천대학교 산학협력단 일반연구자 지원사업_여성과학자 지원사업 랩온어칩 구현을 위한 압력 구동식 일체형 미세유체장비의 개발 및 시스템 융합
2 경기도청 가천대학교 산학협력단 경기도지역협력연구센터사업 (GRRC) 무선 발열 기술을 이용한 바이오칩 공정 개발
3 지식경제부 및산업기술평가관리원 가천대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 호흡기 감염 질환 진단용 u-Health 모니터링 시스템 개발