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나노갭 공간을 갖는 메쉬 나노와이어가 단부에 형성된 광섬유를 제조하는 방법으로서,광섬유를 광섬유 홀더 내에 배치하는 단계;상기 광섬유의 단부를 평면가공하는 단계;평면가공된 광섬유의 단부에 시드층을 적층하는 단계;나노포어를 갖는 나노포어 막을 상기 시드층에 부착하는 단계;나노포어 내에 나노갭 공간을 포함하는 하나 이상의 나노와이어 층으로 이루어진 나노와이어를 성장시키는 단계;상기 나노와이어를 성장시킨 후에 상기 나노포어 막을 제거하고, 나노와이어가 형성된 광섬유를 광섬유 홀더에서 분리하는 단계;상기 나노와이어 및 상기 광섬유의 단부를 둘러싸도록, 다공성 중합체를 코팅하는 단계; 및상기 나노와이어 층 중 나노갭 공간을 형성하는 층 및 시드층을 에칭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 나노와이어 층은, 밑에서부터 순서대로, 제1 기능성 나노와이어 층, 나노갭 공간 층, 및 제2 기능성 나노와이어 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제2항에 있어서,상기 나노와이어 층은 제1 기능성 나노와이어 층과 시드층 사이에 베이스 나노와이어 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제3항에 있어서,상기 제1 기능성 나노와이어 층과 제2 기능성 나노와이어 층은 Au 또는 Pt로 이루어져 있고, 상기 나노와이어 층 및 상기 베이스 나노와이어 층은 Cu로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 나노포어 막을 제거한 후에, 나노와이어의 일부와 시드층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제5항에 있어서,나노와이어의 일부와 시드층의 일부를 제거하는 단계는, 포토레지스트로 나노와이어의 일부 영역을 덮은 후에 화학적 에칭공정을 이용하여 나노와이어의 일부와 시드층의 일부를 제거한 후 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제6항에 있어서,포토레지스트를 제거하는 동시에, 나노와이어가 형성된 광섬유를 광섬유 홀더에서 분리시키는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노갭 공간의 두께는 2 nm 미만인 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광섬유를 광섬유 홀더 내에 배치하는 단계 이후에, 광섬유를 광섬유 홀더 내부에 접착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노와이어 층 중 나노갭 공간을 형성하는 층 및 시드층을 에칭하는 단계는, 상기 다공성 중합체의 상부표면의 일부에 포토레지스트를 생성한 후 수행되고, 에칭 후에 포토레지스트가 제거되는 것을 특징으로 하는 광섬유를 제조하는 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 광섬유를 제조하는 방법을 이용하여 제조된, 나노갭 공간을 갖는 메쉬 나노와이어가 단부에 형성된 광섬유로서,광섬유(10)의 단부에 수직 또는 경사지게 형성되는 복수의 나노와이어로 이루어진 메쉬 나노와이어(60); 및상기 메쉬 나노와이어(60) 및 광섬유(10)의 단부 주위를 둘러싸는 다공성 중합체(80);를 포함하고,상기 복수의 나노와이어의 적어도 일부에는 나노갭 공간(100)이 형성되어 있고, 상기 나노갭 공간(100)의 아래쪽 나노와이어의 하단부와 상기 광섬유 단부 사이는 비어있는 것을 특징으로 하는 광섬유
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제11항에 있어서, 상기 나노갭 공간(100)의 위아래쪽 나노와이어들은 근접장강화를 위해 사용되는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광섬유
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제12항에 있어서,상기 금속은 Au 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 광섬유
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제11항에 있어서,상기 나노갭 공간(100)은 두께가 2 nm 미만인 것을 특징으로 하는 광섬유
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제11항에 있어서,상기 광섬유(10)의 단부의 경사는 45도인 것을 특징으로 하는 광섬유
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