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탄소나노튜브를 이용한 태양전지

  • 기술번호 : KST2015208286
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CNT를 이용한 태양전지가 제공된다. 상기 태양전지는 기판 상에 형성되고, 제1 도전형의 제1 CNT 전극, 상기 기판 상에 형성되고, 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 제2 CNT 전극, 및 상기 제1 CNT 전극과 상기 제2 CNT 전극의 적어도 일부를 둘러싸고, 특정 영역의 광을 흡수하는 광흡수 CNT층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/028(2013.01) H01L 31/028(2013.01) H01L 31/028(2013.01)
출원번호/일자 1020120097267 (2012.09.03)
출원인 삼성전자주식회사, 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0034349 (2014.03.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권태용 대한민국 경기 수원시 영통구
2 김우재 대한민국 서울특서울시 용산구
3 김형삼 미국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0710295-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0819498-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0123029-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0385484-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0385470-33
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0557814-27
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번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 제1 도전형의 제1 CNT 전극;상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 CNT 전극과 접하고, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 제2 CNT 전극; 및상기 제1 CNT 전극 및 상기 제2 CNT 전극과 각각 접하고, 상기 제1 CNT 전극 및 상기 제2 CNT 전극을 둘러싸고, 특정 영역의 광을 흡수하는 광흡수 CNT층을 포함하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서,상기 광흡수 CNT층은 가시광을 흡수하는 것을 포함하는 태양전지
3 3
제 1항에 있어서,상기 광흡수 CNT층은 서로 다른 다수의 서브 광흡수 CNT층을 포함하는 태양전지
4 4
제 3항에 있어서,상기 다수의 서브 광흡수 CNT층은, 제1 내지 제3 서브 광흡수 CNT층을 포함하고,상기 제1 서브 광흡수 CNT층은, 흡수되는 광에너지의 최대값의 파장이 제1 영역 내에 위치하고,상기 제2 서브 광흡수 CNT층은, 흡수되는 광에너지의 최대값의 파장이 제2 영역 내에 위치하고,상기 제3 서브 광흡수 CNT층은, 흡수되는 광에너지의 최대값의 파장이 제3 영역 내에 위치하는 태양전지
5 5
제 4항에 있어서,상기 제1 영역은 700nm이상 800nm이하이고,상기 제2 영역은 600nm이상 700nm이하이고,상기 제3 영역은 500nm이상 600nm이하인 태양전지
6 6
제 1항에 있어서,상기 제1 CNT 전극 및 상기 제2 CNT 전극은 필라(pillar) 형상인 것을 포함하는 태양전지
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.