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양극 기판 제조 방법으로서,a) 그물망 형태의 베이스를 마련하는 단계;b) 양극활물질, 고체 전해질 및 도전제를 포함하는 양극 슬러리를 마련하는 단계;c) 상기 베이스에 상기 양극 슬러리를 도포하여 양극을 형성하는 단계; 및d) 상기 양극 슬러리를 50 내지 120℃의 온도범위에서 예비 건조하고, 700 내지 1200㎏/㎡의 압력 범위보다 낮은 압력 범위에서 예비 압착하는 단계;e) 상기 양극 슬러리를 500 내지 1200℃의 온도범위 내에서 건조하고, 상기 700 내지 1200 kg/㎡ 의 압력 범위에서 5분 내지 2시간 압착하는 단계;를 포함하고,50 내지 80 ㎛ 의 두께의 양극 기판을 형성하는 양극 기판 제조 방법
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청구항 5 에 있어서,상기 양극 슬러리는,상기 양극활물질, 고체 전해질 및 도전제가 유기 용매 및 바인더와 혼합되어 형성되는 양극 기판 제조 방법
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청구항 6 에 있어서,상기 양극활물질은 LiCoO2, LiNiO2, LiMn2O4, LiMnO2, LiCoPO4 및 이들의 화합물 중 적어도 어느 하나가 사용되는 양극 기판 제조 방법
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청구항 6 에 있어서,상기 고체 전해질은 결정질계 전해질 및 비정질계 전해질의 Li-La-Metal-O계, Li-B-O계, Li-P-O계 중 적어도 어느 하나가 사용되는 양극 기판 제조 방법
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청구항 5 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 양극 기판;상기 양극 기판에 포함된 양극의 적어도 일면에 형성된 전해질 층; 및상기 고체 전해질 상에 형성된 음극; 및상기 음극 상에 형성된 음극 전류 집전체;를 포함하는 전 고상 전지
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청구항 5 내지 청구항 8 중 적어도 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 양극 기판을 마련하는 단계;상기 양극 기판의 표면을 폴리싱하는 단계;상기 양극 기판의 적어도 일면에 전해질 층을 형성하는 단계;상기 전해질 층 상에 음극을 형성하는 단계; 및상기 음극 상에 음극 전류 집전체를 형성하는 단계;를 포함하는 전 고상 전지 제조 방법
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