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전도성 기재를 표면 활성화하여 표면 활성화된 전도성 기재층을 제조하는 단계(단계 a);상기 표면 활성화된 전도성 기재층을 표면개질제로 처리하여 표면개질층이 표면에 형성된 전도성 기재층을 제조하는 단계(단계 b);상기 표면개질층이 표면에 형성된 전도성 기재층을 작업전극으로 하고, 금 전구체를 포함하는 전해질에서 전기 증착(electric deposition)함으로써, 상기 표면개질층 상에 금 나노 시드(seed)가 형성된 전도성 기재층을 제조하는 단계(단계 c); 및상기 표면개질층 상에 금 나노 시드가 형성된 전도성 기재층을 작업전극으로 하고, 금 전구체를 포함하는 전해질에서 전기 증착(electric deposition)함으로써, 복수의 돌기를 포함하는 플라워 형태의 금 나노 입자가 포함된 금 나노 입자층이 상기 표면개질층 상에 형성된 적층체를 제조하는 단계(단계 d); 를포함하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 c의 전기증착과 단계 d의 전기증착은 서로 상이한 퍼텐셜에서 수행되는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 d 이후, 단계 d의 결과물을 열처리 하여 잔류 유기물을 제거하는 단계(단계 e); 를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면개질제가 하기 구조식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금 전구체가 사염화금산(HAuCl4, Hydrogen tetrachloro aurate(III)), 삼염화금(AuCl3, Gold trichloride), 사염화금칼륨(KAuCl4, Potassium Tetrachloro aurate) 및 수산화금(Au(OH)3, Gold(III) hydroxide)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 c의 전기증착이 포화 카로멜 전극을 기준(reference)으로 0
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제1항에 있어서,상기 단계 d의 전기증착이 포화 카로멜 전극을 기준(reference)으로 -0
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제1항에 있어서,상기 적층체가 전도성 기재층; 상기 전도성 기재층의 표면에 공유결합되고, 아민 종료(amine-terminated)된 표면개질층; 및 상기 표면개질층 상에 위치하고, 복수의 돌기를 포함하는 플라워 형태의 금 나노 입자가 포함된 금 나노 입자층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라워 형태는 상기 복수의 돌기가 금 나노 입자의 중심으로부터 성장된 돌기의 집합체 형태인 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 돌기가 수상돌기(dendritic), 시트(sheet) 및 로드(rod) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 기재층이 투명 전도성 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물이 산화인듐주석(ITO), 산화주석(SnO2), 티타늄산화물(TiO2), 산화아연(ZnO), 알루미늄 도핑 산화아연(Al-doped ZnO) 및 글래시 카본(glassy carbon) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 아민 종료된 표면개질층이 상기 전도성 기재층의 표면에 하기 구조식 1의 형태로 결합되는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금 나노 입자가 면심입방(face centered cubic, fcc) 구조인 것을 특징으로 하는 적층체의 제조방법
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