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에너지 전달 막을 이용한 도핑된 다결정성 실리콘 박막의제조

  • 기술번호 : KST2015208423
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계, 상기 비정질 규소층 위에 도핑하는 단계, 상기 도핑 된 비정질 실리콘 위에 레이저를 조사할 때 레이저의 에너지를 흡수할 수 있는 박막을 형성하는 단계, 상기 층에 충분한 에너지를 가할 수 있는 에너지 밀도를 가지며 소정의 빔 폭을 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계, 게이트 선을 형성하는 단계, 데이터 선을 형성하는 단계를 포함하여 박막 트랜지스터 기판을 제조한다.박막 트랜지스터기판, 다결정 규소, 레이저, 결정립
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020070044476 (2007.05.08)
출원인 안성일, 권상직, 조의식, 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0098978 (2008.11.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 안성일 대한민국 경기도 성남시 수정구
2 권상직 대한민국 서울특별시 강남구
3 조의식 대한민국 서울 강남구
4 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성일 대한민국 경기 성남시 수정구
2 권상직 대한민국 서울시 강남구
3 조의식 대한민국 서울 강남구
4 홍성재 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0340939-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0023382-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0398881-90
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0550489-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2011-5196061-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5237983-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049854-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2012-0408425-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073562-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5005541-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도핑된 비정질 실리콘을 레이저를 이용하여 결정화시킬 경우 레이저의 에너지를 전달하는 완충 층을 두어 도핑된 비정질 실리콘을 도핑된 다결정 실리콘으로 결정화시키는 방법
2 2
청구항 2의 방법을 이용하여 만든 도핑된 다결정 실리콘을 이용하여 박막 트랜지스터로 만드는 방법
3 3
유기이엘 소자 및 박막 트랜지스트를 이용한 액정 디스플레이 소자의 스위칭 소자로 청구항 3의 박막 트랜지스터가 이용되는 방법
4 4
청구항 3의 박막 트랜지스터가 유기소자 및 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 동작시키는 구동부로 사용되는 것
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 경원대학교 전기전자공학과 한국학술진흥재단 Brain Korea 21 정보소자용 신공정 기술 인력양성 사업