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표면플라즈몬 공명을 이용한 광 센싱 장치에 있어서,광을 조사하는 광원부;상기 조사된 광이 일단에 입사되어 내부 전반사를 통해 타단으로 출사되고, 일부에 클래딩이 제거되어 코어 외곽으로 금속층과 시료층이 순서대로 적층된 표면플라즈몬 공명부를 가지는 광섬유부;상기 광섬유부 타단에 위치하여 상기 출사된 광을 회전 가능한 1/2 파장 위상지연판에 통과시킨 후 p편광 빔과 s편광 빔으로 분리하는 편광 빔 스플리터부;상기 분리된 p편광 빔과 s편광 빔을 검지하고 각각에 대응하는 p 편광 세기 신호 및 s 편광 세기 신호를 출력하는 광검지부; 및상기 출력된 p 편광 세기 신호 및 s 편광 세기 신호 중 적어도 하나를 수신하고, 상기 시료층의 표면플라즈몬 공명 조건 변화에 따른 복굴절 변화에 의하여 발생한, 상기 수신된 p 편광 세기 신호 또는 상기 수신된 s 편광 세기 신호에 기반하여 상기 시료층의 감지가 가능한 시료층 감지부;를 포함하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 1항에 있어서,상기 광섬유부에 입사되는 광은 원형 편광 빔인 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 2항에 있어서,상기 원형편광 빔의 형성을 위해 상기 광원부와 상기 광섬유부 사이에는 1/4파장판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 1항에 있어서,상기 시료층은 유기 물질이고, 상기 시료층 감지부는 상기 유기 물질의 농도 변화를 감지하고 상기 농도 변화에 대응하는 농도 변화 정보를 출력하는 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 1항에 있어서,상기 시료층 감지부는 p 편광 빔의 세기(Ip) 및 s 편광 빔의 세기(Is) 중 어느 하나의 최대값 및 최소값을 연산하고, 상기 최대값과 상기 최소값의 차이값에 기반하여 상기 시료층을 감지하는 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 5항에 있어서,상기 최대값 또는 상기 최소값을 연산하기 위해 상기 광섬유부 타단과 상기 편광 빔 스플리터부 사이에 회전을 통해 편광 스캔이 가능한 위상 지연판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 1항에 있어서,상기 광검지부는 광검출기를 포함하고, 상기 광검출기는 상기 p 편광 빔과 상기 s 편광 빔에 각 대응하는 p 편광 포트와 s 편광 포트를 가지는 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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제 1항에 있어서,상기 광검지부는 p 편광 포트와 s 편광 포트를 갖는 밸런스 디텍터를 포함하고, 상기 시료층 감지부는 p 편광 포트 신호세기와 s 편광 포트 신호세기 사이의 차이값(I(-))의 최대값(max(I(-)))과 최소값(min(I(-)))을 연산하고, 차이값의 최대값과 차이값의 최소값의 차이값(max(I(-))-min(I(-)))에 기반하여 시료층을 감지하는 것을 특징으로 하는 표면플라즈몬 공명에 의한 복굴절 변화를 이용한 광 센싱 장치
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