맞춤기술찾기

이전대상기술

박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015208817
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 형성방법에 관한 것으로, 플라즈마 원자층 증착 방법을 이용하여 갈륨 옥사이드 박막, 타이타늄 옥사이드 박막, 나노믹스된 타이타늄 옥사이드-갈륨 옥사이드 박막을 형성한 후, 선택적으로 열처리 공정을 실시함으로써, 스텝커버리지 특성과 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 박막 형성방법이 제공된다.갈륨옥사이드, 타이타늄 옥사이드, 플라즈마 원자층 증착, 굴절율, 누설전류
Int. CL H01L 21/02 (2011.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020060116155 (2006.11.23)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0845945-0000 (2008.07.07)
공개번호/일자 10-2008-0046768 (2008.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20080711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.23)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 푸카이샨 중국 부산광역시 부산진구
2 류국협 중국 부산광역시 부산진구
3 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
4 이근형 대한민국 부산광역시 부산진구
5 김일수 대한민국 부산 부산진구
6 신병철 대한민국 부산 부산진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0858878-04
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-5094079-60
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0057918-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0623451-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0041758-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0041756-72
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
9 보정요구서
Request for Amendment
2008.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0038843-68
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
11 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
12 등록결정서
Decision to grant
2008.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0284362-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 챔버에 기판을 로딩하는 단계;(b) 상기 기판 위에 반응소스를 유입하는 단계;(c) 잔류하는 반응가스를 제거하기 위해 퍼지 가스를 유입하고 퍼지하는 단계;(d) 상기 기판을 산소 플라즈마 처리하는 단계; 및 (e) 잔류하는 산소를 퍼지하는 단계를 포함하며, 상기 (b) 내지 (e) 단계를 반복 수행하여 산화물 박막을 형성한 후 열처리 공정을 실시하는 단계를 포함하는 박막 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 반응 소스는 [(CH3)2GaNH2]3 를 포함하는 박막 형성방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 반응 소소는 Ti[N(CH3)2]4를 포함하는 박막 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 산소 플라즈마는 50 내지 200W의 전력을 인가하여 생성하는 박막 형성방법
5 5
삭제
6 6
(a) 챔버에 기판을 로딩하는 단계; (b) 상기 챔버내에 제 1 반응소스를 유입하고 퍼지하고, 산소 플라즈마를 유입한 후 퍼지하여 제 1 산화물 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 챔버내에 제 2 반응소소를 유입하고, 퍼지하고, 산소플라즈마를 유입한 후 퍼지하여 제 2 산화물 박막을 형성하는 단계; 및(d) 열처리 공정을 실시하는 단계를 포함하는 박막 형성방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 (b),(c) 단계를 반복 수행하는 박막 형성방법
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 제 1 반응소스는 Ti[N(CH3)2]4 , 제 2 반응소스는 [(CH2)GaNH2]3를 포함하는 박막 형성방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 산소 플라즈마는 100 내지 200W의 전력을 인가하여 생성하는 박막 형성방법
10 10
삭제
11 11
청구항 1 또는 청구항 6 항에 있어서, 상기 박막형성방법은 150℃ 내지 250℃의 온도에서 실시하는 박막 형성방법
12 12
청구항 1 또는 청구항 6 항에 있어서, 상기 열처리 공정은 산소 분위기의 급속 열처리 방식으로 실시하는 박막 형성방법
13 13
청구항 1 또는 청구항 6 항에 있어서, 상기 열처리 공정은 500℃ 내지 900℃의 온도에서 실시하는 박막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.