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ZnO박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015208818
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 박막 형성방법에 관한 것으로, 기판을 세정하는 단계와, 상기 세정된 기판을 챔버내로 로딩하는 단계와, 상기 챔버내의 ZnO 타겟 표면에 레이저를 방사하여 플라즈마 플룸을 형성하는 단계와, 상기 타겟으로부터 생성된 ZnO 원료가 기판에 증착되어 ZnO 박막을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명은 펄스레이저 증착방법을 이용하여 구조적 및 광학적 특성이 향상된 ZnO 박막을 형성할 수 있다.펄스레이저 증착방법, ZnO 박막, PL 스펙트라, 나노스케일, 광학적 특성
Int. CL H01L 21/02 (2011.01)
CPC H01L 21/02266(2013.01) H01L 21/02266(2013.01) H01L 21/02266(2013.01) H01L 21/02266(2013.01)
출원번호/일자 1020060116154 (2006.11.23)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0845944-0000 (2008.07.07)
공개번호/일자 10-2008-0046767 (2008.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20080711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 푸카이샨 중국 부산광역시 부산진구
2 류국협 중국 부산광역시 부산진구
3 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
4 이근형 대한민국 부산광역시 부산진구
5 김일수 대한민국 부산 부산진구
6 신병철 대한민국 부산 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0858876-13
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-5094078-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0057917-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0623450-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0041757-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0041755-26
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
10 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
11 등록결정서
Decision to grant
2008.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0259743-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MgO 기판 및 ZnO 타겟을 마련하는 단계;챔버내에 상기 ZnO 타겟을 설치하고, 상기 MgO 기판을 상기 챔버내에 로딩하는 단계; 및상기 ZnO 타겟 표면에 레이저를 조사하여 상기 MgO 기판에 ZnO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 ZnO 박막 형성방법
2 2
기판 및 불순물이 도핑된 ZnO 타겟을 마련하는 단계;챔버내에 상기 불순물이 도핑된 ZnO 타겟을 설치하고, 상기 기판을 상기 챔버내에 로딩하는 단계; 및상기 불순물이 도핑된 ZnO 타겟 표면에 레이저를 조사하여 상기 기판상에 불순물이 도핑된 ZnO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 ZnO 박막 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 기판은 MgO 기판, 글래스 기판, 사파이어 기판, 실리콘 기판 중 어느 하나이고, 상기 불순물은 Mg, Cd, Ga, As 중 적어도 어느 하나인 ZnO 박막 형성방법
4 4
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 기판에 ZnO 박막을 형성한 후, 열처리 공정을 더 실시하는 ZnO 박막 형성방법
5 5
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 레이저 반복 주파수는 1 내지 5Hz인 ZnO 박막 형성방법
6 6
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 증착 시간은 1분 내지 30분으로 하는 ZnO 박막 형성방법
7 7
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 챔버내 산소압력은 50mTorr 내지 250mTorr인 ZnO 박막 형성방법
8 8
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 박막 성장 온도는 100도 내지 700도인 ZnO 박막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.