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ＳｉＣ 단결정 성장방법

  • 기술번호 : KST2015208819
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 성장로를 진공상태로 유지하는 단계와, 종자정 표면으로 수소함유 가스를 주기적으로 도입하면서 SiC 단결정을 성장시키는 단계와, 상기 성장로를 냉각하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 수소가 주기적으로 도입되어 성장된 SiC 결정의 품질은 상당히 향상되고, 낮은 캐리어 농도 및 낮은 마이크로파이프 밀도를 나타낸다.SiC 단결정, 물리적 기상 이동법, 수소, 에피택셜 층, 성장률
Int. CL C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01)
CPC C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070002698 (2007.01.10)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0845946-0000 (2008.07.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 김일수 대한민국 부산 부산진구
4 구갑렬 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0023415-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0047478-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0567126-22
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0913753-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0913752-19
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
9 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation		 2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0214202-50
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0371018-02
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0371019-47
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0302011-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
종자정과 소스가 장입된 도가니를 성장로에 장착하는 단계;상기 성장로를 진공 상태로 유지하는 단계;수소 함유 가스의 주입 및 중단을 반복하여 SiC 단결정을 성장시키는 단계; 및상기 성장로를 냉각하는 단계를 포함하는 SiC 단결정 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 수소 함유 가스는 수소 또는 수소와 아르곤을 혼합한 가스인 SiC 단결정 성장방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 수소 함유 가스는 초기 결정성장시 종자정 표면을 에칭하기 위하여 도입하는 SiC 단결정 성장방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 수소 함유 가스는 종자정 표면 에칭 후 1 시간마다 10분 동안 도입하는 SiC 단결정 성장방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 단결정 성장시 아르곤 가스와 수소 가스의 비율이 20:1이 되는 량을 도입하는 SiC 단결정 성장방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 종자정은 표면 상에 SiC 에피택셜 층이 형성된 SiC 단결정 성장방법
7 7
표면상에 SiC 에피택셜 층을 구비한 종자정을 마련하는 단계;상기 종자정과 소스를 도가니에 장입한 후 상기 도가니를 성장로에 장착하는 단계;상기 성장로를 진공 상태로 유지하는 단계;수소 함유 가스의 주입 및 중단을 반복하여 SiC 단결정을 성장시키는 단계; 및상기 성장로를 냉각하는 단계를 포함하는 SiC 단결정 성장방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 SiC 에피택셜층은 2000℃의 온도에서 성장되는 SiC 단결정 성장방법
9 9
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 SiC 단결정의 성장온도는 2000℃ 내지 2500℃이고, 성장압력은 30mbar내지 70mbar인 SiC 단결정 성장방법
10 10
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 SiC 단결정의 축방향 열 기울기는 10 내지 20℃/cm 인 SiC 단결정 성장방법
11 11
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 종자정은 6H-SiC인 SiC 단결정 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.