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SiC 에피택셜층 성장방법

  • 기술번호 : KST2015208820
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 SiC 에피택셜층 성장방법은 SiC 에피택셜층 성장방법은 도가니 하부에 SiC 파우더를 넣고 그에 대향하여 기판을 위치하는 단계와, 대기압에서 도가니의 온도를 상승하여 상기 SiC 파우더를 소결하는 단계와, 압력을 낮추어 SiC 파우더를 승화시켜 상기 기판상에 제 1 에피택셜층을 증착시키는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면, 고품질의 두꺼운 에피택셜 층을 형성할 수 있다.SiC 에피택셜 층, MESFET, 어셉터 농도, SiC 파우더, SiC/Al 비율
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01)
출원번호/일자 1020070002699 (2007.01.10)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0861088-0000 (2008.09.24)
공개번호/일자 10-2008-0065715 (2008.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20080930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 시게히로 니시노 일본 부산 부산진구
4 박치권 대한민국 부산 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0023416-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014963-47
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
6 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0259731-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0504791-42
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0504792-98
10 등록결정서
Decision to grant
2008.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0486437-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도가니 하부에 SiC 파우더를 넣고 그에 대향하여 기판을 위치하는 단계;대기압에서 도가니의 온도를 상승하여 상기 SiC 파우더를 소결하는 단계;압력을 낮추어 SiC 파우더를 승화시켜 상기 기판상에 제 1 에피택셜층을 증착시키는 단계; 및상기 제 1 에피택셜층 상에 제 2 에피택셜층을 증착시키는 단계를 포함하는 SiC 에피택셜 층 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 SiC 파우더와 기판의 거리는 약 1~2mm인 SiC 에피택셜 층 성장방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 4H-SiC(0001) 웨이퍼인 SiC 에피택셜 층 성장방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판, 제 1 에피택셜층 및 제 2 에피택셜층 각각은 n형 또는 p형 도전형인 SiC 에피택셜 층 성장방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 제 2 에피택셜층은 동일 도전형이고, 상기 제 1 에피택셜층은 상기 기판 및 제 2 에피택셜층과 다른 도전형인 SiC 에피택셜층 성장방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 또는 상기 제 2 에피택셜층의 p형 소스는 Al이 첨가된 SiC 파우더인 SiC 에피택셜층 성장방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 SiC 파우더는 아르곤 가스 분위기 및 1500도 내지 2000도의 온도에서 10분 내지 50분 동안 소결한 SiC 에피택셜층 성장방법
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 또는 상기 제 2 에피택셜 층의 n형 소스는 6H-SiC 파우더인 SiC 에피택셜 층 성장방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 에피택셜 층 성장은 1 내지 10Torr 압력에서 1500도 내지 2000도에서 성장율 10 내지 50㎛/h으로 행하는 SiC 에피택셜층 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.