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박막 형성 방법 및 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015208821
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 형성 방법 및 발광 소자에 관한 것으로, In2O3가 도핑된 ZnO 타겟을 이용한 펄스 레이저 증착에 의해 In2O3가 도핑된 ZnO 박막을 형성하고, 이를 투명 전극으로 이용함으로써 ZnO 박막의 도핑에 의해 산소 공공이 억제되어 딥 레벨 방출을 방지할 수 있어 UV 광 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.ZnO, PLD, 인듐 옥사이드, 발광, 딥레벨 방출
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070087768 (2007.08.30)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0022427 (2009.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 푸카이샨 중국 부산광역시 부산진구
4 류국협 중국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0633537-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0128345-31
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0661664-11
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0082319-38
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0088035-17
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
8 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0046796-47
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0394224-65
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0717906-81
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0717903-44
15 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2010.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2010-0003778-69
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0162911-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불순물이 도핑된 ZnO 타겟을 펄스 레이저 증착 챔버에 로딩한 후 기판을 로딩하는 단계;상기 타겟에 펄스 레이저를 조사하여 상기 기판상에 불순물이 도핑된 ZnO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 불순물은 인듐 옥사이드(In2O3)를 포함하는 박막 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 인듐 옥사이드는 인듐이 0
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 타겟은 인듐 옥사이드 파우더와 ZnO 파우더를 유성 밀링 시스템(planetary milling system)에서 볼을 갖는 플라스틱 콘테이너를 이용하여 혼합한 후 단축 가압 및 상온 정수합 성형하여 제작하는 박막 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 타겟을 1000 내지 1300℃의 퍼니스에서 3 내지 5시간 소결하는 박막 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 챔버는 50 내지 200mTorr의 압력과 산소 분위기 및 100 내지 600℃의 기판 온도를 유지하는 박막 형성 방법
7 7
기판 상부의 소정 영역에 순차적으로 형성된 양극, 발광층 및 음극을 포함하며,상기 양극은 인듐 옥사이드가 도핑된 ZnO 박막으로 형성된 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.