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종자정 처리 방법 및 단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015208822
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종자정 처리 방법 및 단결정 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명은 종자정을 질소 분위기에서 열처리하는 단계와, 상기 질소 분위기의 열처리에 의해 성장된 희생층을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따라 표면 처리된 종자정은 원자 수준의 표면 거칠기를 가지게 되며, 이를 시드형 승화법의 종자정으로 이용하면 C면(000-1)을 성장면으로 하여 결함이 억제되며, 결정질이 우수하고, 결정다형의 제어가 용이한 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다. 실리콘카바이드, 종자정, 표면 처리, 질소 분위기, C면(000-1), 결정다형
Int. CL C30B 23/00 (2006.01)
CPC C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01)
출원번호/일자 1020080090995 (2008.09.17)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1043280-0000 (2011.06.15)
공개번호/일자 10-2010-0032044 (2010.03.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 최종문 대한민국 경남 양산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0653627-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0050117-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0477359-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0863222-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0863221-74
8 등록결정서
Decision to grant
2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0306206-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
종자정을 질소 분위기에서 열처리하여 상기 종자정의 표면에 그라파이트층을 형성하는 단계; 상기 그라파이트층을 산소 분위기에서 열처리하여 제거하는 단계; 및 상기 산소 분위기의 열처리에 의해 성장된 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 종자정 처리 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 종자정은 실리콘카바이드를 포함하는 종자정 처리 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 질소 분위기의 열처리 공정은 1700℃ 내지 2000℃의 온도와 1atm내지 2atm의 압력에서 6시간 내지 9시간동안 실시하는 종자정 처리 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 그라파이트층은 상기 종자정의 C면(000-1)에 성장되는 종자정 처리 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
종자정을 표면 처리하는 단계; 상기 표면 처리된 종자정을 도가니 상면에 부착하고, 상기 도가니 내부에 단결정 원료를 장입하는 단계; 상기 도가니를 성장 온도로 가열하여 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계; 및 결정을 성장시키고, 상기 승화된 원료 기체가 상기 종자정에서 재결정화되도록 하는 단계를 포함하고, 상기 종자정을 표면 처리하는 단계는 종자정을 질소 분위기에서 열처리하여 상기 종자정의 표면에 그라파이트층을 형성하는 단계; 상기 그라파이트층을 산소 분위기에서 열처리하여 제거하는 단계; 및 상기 산소 분위기의 열처리에 의해 성장된 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 종자정은 실리콘카바이드를 포함하는 단결정 성장 방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 재결정화는 상기 표면 처리된 종자정의 C면(000-1)에서 되는 단결정 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.