맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015208833
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 박막 형성 방법은 Cr이 0.1mol% 내지 30mol%로 도핑된 ZnO 타겟을 스퍼터링 증착 챔버로 로딩한 후, 기판을 로딩하는 단계 및 타겟에 전원을 인가하여 상기 기판 상에 Cr이 0.1mol% 내지 30mol%로 도핑된 ZnO 박막을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면 Cr이 도핑된 ZnO 타겟을 이용하여 스퍼터링 방법으로 기판 상에 Cr이 0.1mol% 내지 30mol% 도핑된 ZnO 타겟을 형성함으로써, ZnCrO로 이루어진 자성 반도체 박막을 형성할 수 있다. 또한, 상기와 같은 ZnCrO 자성 반도체 박막을 반도체 소자에 적용함으로써, 상기 반도체 소자의 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.자성 반도체, Cr, 도핑, ZnO, Si 기판
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090106385 (2009.11.05)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1137292-0000 (2012.04.10)
공개번호/일자 10-2011-0049387 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.05)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 채리안 인도 부산광역시 부산진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0680493-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0070431-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0568711-28
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0962464-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0962465-86
7 등록결정서
Decision to grant
2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0203834-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO 파우더와 Cr 파우더를 마련하고, 볼을 가지는 콘테이너를 이용하여 상기 ZnO 파우더와 Cr 파우더를 혼합하는 과정;상기 ZnO 파우더와 Cr 파우더가 혼합된 혼합 파우더를 펠렛 프레서(pellet presser)를 이용하여 성형하여, Cr이 0
2 2
청구항 1에 있어서,상기 Cr이 0
3 3
청구항 1에있어서,상기 ZnO에 Cr이 도핑된 ZnCrO 박막은 강자성체인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 타겟이 디스크 모양이 되도록 성형하는 박막 형성 방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서,상기 챔버는 0
7 7
청구항 1에 있어서,상기 타겟에 교류 전원(RF power)을 인가하는 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.