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단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015208835
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입도가 10nm 내지 90nm인 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법에 관한 것이다.따라서, 본 발명에 의하면 10nm 내지 90nm인 원료 물질을 이용하여 단결정을 성장시킴으로써, 단결정의 성장 속도를 향상시킬 수 있다. 이로 인해, 단결정을 성장시키는 공정 시간을 단축하는 효과가 있다. 또한, 마이크로 파이프(micro pipe) 결함이 적고, 전기적 특성이 우수한 단결정을 제작할 수 있다.단결정, 6H-SiC, 파우더, 입도, 성장속도, 이동도
Int. CL C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01)
CPC C30B 23/066(2013.01) C30B 23/066(2013.01) C30B 23/066(2013.01)
출원번호/일자 1020090116119 (2009.11.27)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1154416-0000 (2012.06.01)
공개번호/일자 10-2011-0059399 (2011.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 여임규 대한민국 경상남도 거제시 해명로*길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0733440-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.29 수리 (Accepted) 9-1-2011-0037900-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0602545-33
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1009837-48
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1009838-94
7 등록결정서
Decision to grant
2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0313804-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원료 물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 홀더, 상기 도가니를 가열하는 가열 수단을 포함하는 성장장치를 이용하여, 상기 원료 물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법에 있어서,상기 종자정 홀더에 종자정을 부착시키는 단계;상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 성장장치 내로 인입시키는 단계;상기 원료 물질을 성장장치 내부에 배치된 도가니에 장입시키는 단계;1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공 압력으로 상기 도가니를 가열하여 상기 도가니에 포함된 불순물을 제거하는 단계;상기 성장장치 내부를 대기압 상태로 한 상태에서, 상기 도가니를 가열하는 단계; 및상기 성장장치 내부를 대기압 상태로부터 감압하여, 상기 도가니 내에 장입된 원료 물질을 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 원료 물질의 입도가 10nm 내지 90nm인 단결정 성장 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 원료 물질의 입도가 10nm 내지 20nm인 것을 이용하여 단결정을 성장시키는 단결정 성장 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 원료 물질로 SiC를 사용하는 단결정 성장 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 성장장치 내부를 대기압 상태에서 20mbar 내지 60mbar로 감압하는 단결정 성장 방법
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청구항 3에 있어서,상기 SiC로 이루어진 원료 물질을 이용하여 SiC 단결정을 제작하는 단결정 성장 방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 SiC로 이루어진 원료 물질을 이용하여 6H-SiC 단결정을 제작하는 단결정 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.